電力電子器件與應(yīng)用

電力場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)

為提高其開關(guān)速度，要求驅(qū)動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。還需要一定的柵極驅(qū)動(dòng)電流。

開通時(shí)，柵極電流可由下式計(jì)算：

（1）

關(guān)斷時(shí)，柵極電流由下式計(jì)算：

（2）

式（1）是選取開通驅(qū)動(dòng)元件主要依據(jù)，式（2）是選取關(guān)斷驅(qū)動(dòng)元件的主要依據(jù)。

電力場(chǎng)效應(yīng)管的一種驅(qū)動(dòng)電路

IR2130可以驅(qū)動(dòng)電壓不高于600V電路中的MOSFET，內(nèi)含過電流、過電壓和欠電壓等保護(hù)，輸出可以直接驅(qū)動(dòng)6個(gè)MOSFET或IGBT。

TLP250內(nèi)含一個(gè)光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器，具有輸入、輸出隔離，開關(guān)時(shí)間短，輸入電流小、輸出電流大等特點(diǎn)。適用于驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT。

（四） 絕緣柵雙極型晶體管

IGBT的結(jié)構(gòu)和基本原理

IGBT也是一種三端器件，它們分別是柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

擎住效應(yīng)

擎住效應(yīng) 由于IGBT復(fù)合器件內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管存在，當(dāng)IGBT集電極電流Ic大到一定程度，可使寄生晶閘管導(dǎo)通，從而其柵極對(duì)器件失去控制作用，這就是所謂的擎住效應(yīng)。

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路

驅(qū)動(dòng)的基本要求

要有較陡的脈沖上升沿和下降沿

要有足夠大的驅(qū)動(dòng)功率

要有合適的正向驅(qū)動(dòng)電壓UGE

要有合適的反偏壓 反偏壓一般取為-2～-10V

驅(qū)動(dòng)電路與控制電路之間最好進(jìn)行電氣隔離

驅(qū)動(dòng)電路

適用于高頻小功率場(chǎng)合的驅(qū)動(dòng)電路

IGBT驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例一

適合于中大功率場(chǎng)合的驅(qū)動(dòng)電路

IGBT驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例二

IGBT專用集成模塊驅(qū)動(dòng)電路

比較典型的有日本三菱公司的M57918L

電力電子器件的緩沖電路和串并聯(lián)

緩沖電路