一種低壓高頻CMOS電流乘法器的設(shè)計
2 電路仿真結(jié)果
對圖2所示乘法器的性能使用Hspice仿真軟件進行仿真驗證,其中MOS晶體管模型參數(shù)由標(biāo)準(zhǔn)的0.35μm CMOS工藝提供。所有NMOS管和PMOS管的閾值電壓分別為0.53~0.69 V。MOS管的寬長比設(shè)置如下:M1P~M4P,60μm/0.7μm,MIN~M4N,20μm/0.7μm,MC1~MC4,25μm/0.7μm,M5~M8,25μm/0.7μm。電源電壓為±1.18 V。圖4顯示了電流乘法器電路在輸入電流IY在-20~20 μA范圍內(nèi)變化時的直流傳輸特性曲線。在圖4中,從右下到右上的5條曲線分別是輸入電流IX為-20μA,-10μA,0μA,10μA和20μA時的輸出電流Iout隨輸入電流IY變化的直流傳輸特性曲線。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/186822.htm
圖5顯示了提出的乘法器電路的頻率響應(yīng)曲線。在仿真過程中,輸入電流IX為正弦信號電流,同時輸入電流IY保持為10μA。由圖5可以看到,電路的電流標(biāo)準(zhǔn)分貝增益隨頻率變化,所設(shè)計的乘法器電路展示出了良好的頻率特性,得到的-3 dB帶寬為1.741 GHz,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了文獻中提到的(413MHz)。這是由于電路中從輸入端到地的寄生電容減小的緣故。整個電路的功耗為1.18mW。
3 結(jié)語
本文提出了一種低壓高頻四象限電流乘法器電路。該乘法器電路的優(yōu)點是電路結(jié)構(gòu)簡單而且對稱。電路可以工作在高頻條件下(f-3dB= 1.741 GHz),整個電路的功耗為1.18mW。
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