新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 以創(chuàng)新的保護(hù)方法適應(yīng) ESD保護(hù)界線變化

以創(chuàng)新的保護(hù)方法適應(yīng) ESD保護(hù)界線變化

作者: 時間:2011-01-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

設(shè)計工程師為了應(yīng)對諸如HDMI、SATA、MIPI和DisplayPort等新的輸入/輸出(I/O)接口要求的更高數(shù)據(jù)率,必須考慮降低器件的電容。然而,由于更精微的工藝幾何尺寸更易受到沖擊的影響,制造商迫切期望提供更高等級的。傳統(tǒng)架構(gòu)如今極力提供更適宜的等級并支持所期望的數(shù)據(jù)率,使得設(shè)計界面臨左右為難的窘境。因此,工程師必須在系統(tǒng)可靠性和信號質(zhì)量之間做出困難的折中取舍,實際上會使系統(tǒng)整體性能在某種程度上受損。對于設(shè)計能夠同時符合更高數(shù)據(jù)率和更好ESD保護(hù)新需求的芯片的制造商來說,要實現(xiàn)這個目標(biāo)極具挑戰(zhàn)性。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/187671.htm

ESD保護(hù)領(lǐng)域的
由于采用更小的制造幾何尺寸、片上保護(hù)減少及應(yīng)用環(huán)境不斷,ESD保護(hù)的界線已經(jīng)大幅改變。我們依次來審視一下這幾種因素。


1 幾何尺寸更小——隨著當(dāng)今最先進(jìn)的專用集成電路(ASIC)半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)降至90納米及以下,與ESD相關(guān)的失效可能發(fā)生的電壓和電流電平也變小。


2 片上保護(hù)減少——最新芯片越來越容易遭受ESD損傷的情況已經(jīng)廣為人知。ESD目標(biāo)規(guī)范行業(yè)委員會(Industry Council on ESD Target Specifications)近期公布了降低片上ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)等級的舉措,使得外部ESD保護(hù)電路對提供足夠的系統(tǒng)可靠性更為關(guān)鍵。


3 應(yīng)用環(huán)境——筆記本電腦、手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜消費(fèi)類設(shè)備市場海量擴(kuò)張,而所有這些設(shè)備的使用環(huán)境都未受控制(如未使用腕帶接地線或傳導(dǎo)型/接地型桌面)。在這些環(huán)境下,用戶可能接觸I/O連接器引腳,同時連接線纜或斷開線纜連接。在正常使用期間,便攜設(shè)備也可能積累電荷,并在連接至計算機(jī)或電視時,將積累的能量釋放。

使用外部補(bǔ)償來均衡線路阻抗
高速布線方面的一個關(guān)鍵因素是整條傳輸線路提供匹配的阻抗。影響特征阻抗的變量有很多,包括走線寬度、電路板介電厚度、板材料和走線上的元件等。增加任何ESD保護(hù)電路(由于其本身的電容緣故)會影響線路的阻抗。因此,有必要通過阻抗匹配來為這種情況提供補(bǔ)償。


優(yōu)化布線的最重要目標(biāo)是匹配整條線路上的阻抗,而在HDMI規(guī)范中,允許的阻抗是100Ω±15%。在線路中增加任何保護(hù)器件,無論是二極管、壓敏電阻 、抑制器或聚合物,都會使電容增大,源頭不僅來自器件本身,還包括將器件與印制電路板(PCB)連接在一起的焊盤。電容增加令信號失真,并可能導(dǎo)致視頻質(zhì)量較差,甚至是兼容性測試失敗。有鑒于此,ESD保護(hù)供應(yīng)商著重于降低器件的電容,但如前所述,這樣會對ESD保護(hù)性能構(gòu)成負(fù)面影響。例如,可能通過縮減尺寸來降低二極管電容,但這可能導(dǎo)致電阻增加,使得鉗位電壓更高,以及抵達(dá)受保護(hù)器件的殘余電流更大。

增加電容的補(bǔ)償技術(shù)
系統(tǒng)設(shè)計人員為了給保護(hù)器件電容增加提供補(bǔ)償,常常需要更改設(shè)計,降低電路板上其他位置的電容,或增加額外的電感。典型補(bǔ)償技術(shù)包括:


1 增加共模扼流圈或濾波器——采用這種方法時,共模扼流圈的額外電感會補(bǔ)償ESD器件的電容。不利的是,在設(shè)計中增加高速共模扼流圈成本可能非常高,應(yīng)該盡可能避免。


2 減小保護(hù)器件所在區(qū)域的走線寬度(增加走線電感)——這通常稱作走線頸縮(trace necking),在僅要求少量補(bǔ)償時可能非常有效。這種方法的一項局限是,在薄介電板上,如果ESD保護(hù)器件的電容過高,就難于提供匹配的阻抗。


3 降低走線下的電容——可以通過消除走線下面的任何接地層及僅在ESD元件所在區(qū)域降低電容來實現(xiàn)。
雖然以上各種技術(shù)都業(yè)已成功使用,但它們僅是極佳的次優(yōu)選擇,因為會使設(shè)計復(fù)雜度和成本升高。它們要求設(shè)計和制造環(huán)境受到良好控制,使用更昂貴的外部元件(如共模扼流圈)或更精密的PCB,令總體物料單(BOM)成本更高。使用這些技術(shù)的另一項主要不足是許多工程師沒有足夠的經(jīng)驗來設(shè)計阻抗受控的布線。

欠缺這方面的經(jīng)驗常常會導(dǎo)致設(shè)計錯誤,使開發(fā)成本和耗用時間如滾雪球般增長,因為可能涉及到多次電路板返工,以及設(shè)計和制造失控等。最后,許多大型制造商傾向于與多個PCB供應(yīng)商合作,故難于確保一種布線在所有這些不同供應(yīng)商提供的PCB上都能發(fā)揮實效。


新的保護(hù)方法
安森美半導(dǎo)體開發(fā)出的PicoGuard XS架構(gòu)可以維持高速數(shù)據(jù)接口的信號完整性,同時提供更強(qiáng)的ESD保護(hù)。這種架構(gòu)向上布線并穿過封裝,而不是位于封裝下面,借此消除走線寄生參數(shù)。這種方法將電感與ESD二極管集成在一起以匹配信號線路阻抗,從而摒棄任何類型的外部補(bǔ)償。集成電感降低鉗位電壓及受保護(hù)ASIC所流入的殘余電流,從而改善ESD性能。


上一頁 1 2 下一頁

關(guān)鍵詞: ESD 保護(hù) 創(chuàng)新 變化

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉