以創(chuàng)新的保護方法適應 ESD保護界線變化
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XS封裝的架構(見圖1)讓接地層一直貫穿于封裝的下面，這表示所有焊盤至裸片的線邦定的長度都相同，使得電感匹配，無須電路板設計人員采取任何補償措施。此外，在另一個確保提供可靠ESD方案的重要因素——動態(tài)電阻(RDYN)方面，采用PicoGuard XS架構的產(chǎn)品能夠比其他針對高速差分數(shù)據(jù)線路保護應用的傳統(tǒng)穿越型(flow-through)元件表現(xiàn)得更好。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/187671.htm
圖1 PicoGuard XS與傳統(tǒng)ESD保護設計比較
這種架構也省卻了扼流圈的需要或PCB上的走線寬度修改。而且，這種架構與電路板堆疊無關，使系統(tǒng)設計人員能夠使用多個電路板供應商的產(chǎn)品，無須為各個供應商的產(chǎn)品進行定制阻抗匹配。這種架構能夠提供與所涉及PCB層數(shù)、介電厚度及其他布線方面變量無關的匹配阻抗。
新方法的技術原理
圖2顯示了標準ESD保護元件的特征圖。電感元件表示的是源自邦定線和連接至保護元件的PCB走線的寄生電感。在這種標準元件模型中，電感元件為抵御高轉換率(slew rate)ESD沖擊的高阻抗，限制了保護元件快速吸收ESD能量的能力，使得更多的能量進入受保護的ASIC。
圖2 傳統(tǒng)ESD器件表征
圖3 PicoGuard XS器件表征
作為對比，PicoGuard XS架構的電感元件與連接至受保護ASIC的導電通道串聯(lián)，如圖3所示。這元件實際限制沖擊受保護器件的電流和電壓。首先，ESD沖擊會出現(xiàn)的連接器端的電感元件L1存在電抗，這電抗的方向與ESD電流方向相反，幫助限制峰值沖擊電壓。然后，ASIC端的電感元件L2的電抗迫使更有限的ESD沖擊電流通過ESD保護元件分流。與此同時，這兩個串聯(lián)元件的電壓降也發(fā)揮作用，降低受保護ASIC遭受的鉗位電壓。
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