一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
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3 仿真結(jié)果與分析
圖3說明了該基準(zhǔn)源對(duì)電壓的抑制效果。根據(jù)仿真數(shù)據(jù)，在所取5～10 V的輸出電壓范圍經(jīng)計(jì)算基準(zhǔn)電壓電源抑制比為82 dB。圖4為Cade-nce下的溫度仿真曲線，根據(jù)所要求取的溫度范圍在-25～+120℃，計(jì)算得溫度系數(shù)為：TCF=7．427 ppm／℃。圖5為整體電路的版圖設(shè)計(jì)，面積近似為0．022 mm2。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/187781.htm
4 結(jié)語
本文通過對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源的基本原理分析，設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電路工作電壓為5～10 V，通過飽和狀態(tài)MOS等效電阻對(duì)PTAT電流反饋補(bǔ)償，得到了82 dB的電源電壓抑制比和低于7．427 ppm／℃的溫度系數(shù)，版圖面積0．022 mm2。該電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)源電壓基本滿足普通應(yīng)用要求。
評(píng)論