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三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2010-04-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

4)改進(jìn)型電容

(1)克拉潑振蕩器 克拉潑電路是一種改進(jìn)型電容器,如圖5.3-6所示,電路中滿足C1》CA、C2》CA的條件。由于有了C8晶體管極間電容的變化對振蕩頻率的影響大大減小,該電路的主要優(yōu)點(diǎn)是頻率穩(wěn)定度高,其振蕩頻率,起振條件和反饋系數(shù)分別為

式中 C為振蕩回路的總電容。

(2)西勒振蕩器 西勒振蕩電路是另一種改進(jìn)型電容器如圖5.3-7所示。電容C1、C2、C3的取值原則同克拉潑振蕩電路。它與克拉潑振蕩電路的不同點(diǎn)僅在于回路電感L兩端并聯(lián)一個(gè)可變電容C4。這種電路同樣具有頻率穩(wěn)定度高的顯著特點(diǎn)。其振蕩頻率、起振條件和反饋系數(shù)分別為

式中HFB為共基晶體管輸出端交流短時(shí)的正向電流傳輸系數(shù):HFB為共基晶體管輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻。

基于DSP的數(shù)字振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于積累型MOS 變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)


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