主動(dòng)“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸

Cool-ORing方案可以由標(biāo)準(zhǔn)的10腳TDFN封裝和8腳SOIC封裝形式的單獨(dú)控制器提供，這些封裝的器件可以驅(qū)動(dòng)外部標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOSFET，并且其功能與全部功能的集成方案完全相同（如圖2所示）。

圖2 當(dāng)輸入電源發(fā)生短路故障時(shí)PI2001的典型動(dòng)態(tài)響應(yīng)

Picor的PI2003是針對(duì)48V冗余電源架構(gòu)優(yōu)化的控制器，特別適合需要瞬態(tài)電壓在100ms時(shí)間內(nèi)上升達(dá)100V輸入電壓的系統(tǒng)。PI2003的低靜態(tài)電流使其可以直接輸入48V電壓，也簡化了低損耗偏置。

主動(dòng)ORing技術(shù)中的負(fù)載分離特征
常規(guī)ORing技術(shù)和主動(dòng)ORing技術(shù)解決方案不能在負(fù)載故障時(shí)保護(hù)輸出，這是因?yàn)榭傆幸粋€(gè)二極管正向偏置電流要流到輸出端。在標(biāo)準(zhǔn)二極管ORing技術(shù)中，這是顯而易見的，但使用常規(guī)主動(dòng)ORing技術(shù)，即使當(dāng)MOSFET關(guān)閉的時(shí)候，也有一個(gè)寄生體二極管存在，并有正向電流流過它，而且是不可能斷開它的。

Cool-ORing技術(shù)也包括一個(gè)負(fù)載分離的特征。PI2122全功能解決方案集成了一個(gè)具有背對(duì)背配置的MOSFET（它們可以提供極低的導(dǎo)通電阻）的高速控制器，封裝為高密度強(qiáng)化散熱的5mm×7mm LGA封裝，并為不大于5V總線的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

PI2122是7V、12A的器件，具有實(shí)際上典型值為6mΩ的導(dǎo)通電阻，可以使它具有非常高的效率。通過采用背對(duì)背MOSFET，內(nèi)部寄生體二極管彼此是反向的，因此當(dāng)MOSFET關(guān)閉的時(shí)候，阻止了正向和反向電流。

該產(chǎn)品作為主動(dòng)ORing技術(shù)的解決方案，也能夠檢測(cè)輸出負(fù)載故障時(shí)的過電流。這個(gè)功能在獨(dú)立控制器PI2002中也存在，它可以驅(qū)動(dòng)外部標(biāo)準(zhǔn)背對(duì)背配置的N溝道MOSFET。

冗余供電架構(gòu)依賴于采用寬總線電壓的有效ORing技術(shù)方案。Picor公司的Cool-ORing系列主動(dòng)ORing方案的價(jià)值是下一代高可用系統(tǒng)的關(guān)鍵。

全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強(qiáng)化散熱的LGA封裝中實(shí)現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動(dòng)ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。