開關(guān)電流電路主要誤差的改善
4 仿真及結(jié)果
采用0.5 pm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝對圖6電路仿真,仿真參數(shù)如表1所示:
所有NMOS襯底接地,所有PMOS襯底接電源。所有開關(guān)管寬長比均為0.5/μm/0.5 μm。輸入信號為振幅50μA,頻率200 kHz的正弦信號,時鐘頻率5 MHz,V ref一2.4 V,VDD=5 V。表1中給出了主要晶體管仿真參數(shù)。HSpice仿真結(jié)果見圖7(a)。對圖1中第二代基本存儲單元仿真結(jié)果見圖7(b)。
從圖7中可以看出,調(diào)整型共源共柵結(jié)構(gòu)S2I電路大大提高了精度。圖8(a)是圖7的放大圖,圖8(b)是Matlab中的理想波形。從圖8(a)可以看出,在A點(diǎn)時,輸出開關(guān)斷開,輸入開關(guān)閉合,輸出電流變?yōu)榱?。在AB區(qū)間內(nèi),輸入信號對存儲管的寄生電容充電。在B點(diǎn),輸出開關(guān)閉合,輸入開關(guān)斷開,輸出電流為B點(diǎn)的電流值,半個時鐘周期后,在C點(diǎn),輸出開關(guān)斷開,輸入開關(guān)閉合,繼續(xù)重復(fù)上一周期對輸入電流的采樣一保持。整個電路全由MOS管構(gòu)成,依靠晶體管的柵極寄生電容對輸入信號采樣一保持,所以可以與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容,與數(shù)字電路集成在1塊芯片上。與Matlab中的理想波形對比后可以看出此電路的性能相當(dāng)精確。
5 結(jié) 語
與開關(guān)電容電路相比,開關(guān)電流電路不需要線性浮置電容,能夠與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容。但是由于誤差的存在,至今無法完全取代開關(guān)電容電路。這里分析了開關(guān)電流電路中的時鐘饋通誤差與傳輸誤差,并提出了解決辦法,從仿真結(jié)果可以看出改進(jìn)后的電路性能大大提高,精確完成了對輸人信號的采樣一保持。
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