Ovonyx與奇夢達簽訂相變內存技術許可協議

Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關技術專利及知識產權的內存產品，簽訂長期交叉許可協議。根據該協議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內存產品開發(fā)項目。

Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術采用可逆相變存儲過程，能夠實現高性能、高密度、陣列尋址式半導體存儲器技術，該技術可替代閃存和DRAM存儲器，同時也可應用于微控制器和可重構MOS邏輯器件等嵌入式應用。

奇夢達多年來一直從事內存產品的研發(fā)，包括目前與IBM和Macronix合作進行的研發(fā)項目，具備豐富的經驗并在相變內存領域擁有多項重要知識產權。作為奇夢達內存部業(yè)務的一部分，奇夢達今后將繼續(xù)從事相變內存技術的研發(fā)，并推動其實現成果轉化。

“Ovonyx的PCRAM技術有可能給閃存和DRAM業(yè)務帶來革命性變化?！逼鎵暨_總裁兼首席執(zhí)行官Kin Wah Loh指出，“在Ovonyx的大力支持之下，我們將加大該新興技術的研發(fā)力度，推動其實現成果轉化。”

“奇夢達擁有多個300毫米晶圓廠以及世界一流的開發(fā)團隊，這為生產極具競爭力和創(chuàng)新性的PCRAM內存產品提供了絕佳的平臺?！監(jiān)vonyx總裁兼首席執(zhí)行官Tyler Lowrey指出，“我們非常高興，同時也期待與奇夢達合作開展PCRAM產品開發(fā)項目。”