Ovonyx與奇夢達簽訂相變內(nèi)存技術許可協(xié)議

Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關技術專利及知識產(chǎn)權的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。

Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術采用可逆相變存儲過程，能夠實現(xiàn)高性能、高密度、陣列尋址式半導體存儲器技術，該技術可替代閃存和DRAM存儲器，同時也可應用于微控制器和可重構MOS邏輯器件等嵌入式應用。

奇夢達多年來一直從事內(nèi)存產(chǎn)品的研發(fā)，包括目前與IBM和Macronix合作進行的研發(fā)項目，具備豐富的經(jīng)驗并在相變內(nèi)存領域擁有多項重要知識產(chǎn)權。作為奇夢達內(nèi)存部業(yè)務的一部分，奇夢達今后將繼續(xù)從事相變內(nèi)存技術的研發(fā)，并推動其實現(xiàn)成果轉化。

“Ovonyx的PCRAM技術有可能給閃存和DRAM業(yè)務帶來革命性變化?！逼鎵暨_總裁兼首席執(zhí)行官Kin Wah Loh指出，“在Ovonyx的大力支持之下，我們將加大該新興技術的研發(fā)力度，推動其實現(xiàn)成果轉化?！?

“奇夢達擁有多個300毫米晶圓廠以及世界一流的開發(fā)團隊，這為生產(chǎn)極具競爭力和創(chuàng)新性的PCRAM內(nèi)存產(chǎn)品提供了絕佳的平臺?！監(jiān)vonyx總裁兼首席執(zhí)行官Tyler Lowrey指出，“我們非常高興，同時也期待與奇夢達合作開展PCRAM產(chǎn)品開發(fā)項目。”