低邊與高邊電流檢測
例如,如果檢流電阻兩端產(chǎn)生100mV的檢測電壓,其共模電壓為10V。對應(yīng)于100mV的滿量程輸出電壓為2.5V,要求精度在1%以內(nèi)。如果我們簡單地通過分壓電阻將10V共模電壓縮小10倍,如圖3所示。運(yùn)放A1配置成差分放大器,很容易處理1V共模電壓。而VSENSE(100mV)將按同樣比例降低檢測電壓,提供給差分運(yùn)放輸入的檢測電壓只有10mV。為了達(dá)到2.5V滿量程,必須引入額外的放大器A2,增益設(shè)置為250。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/195857.htm
注意,A1的輸入失調(diào)電壓毫無衰減地出現(xiàn)在輸出端,并送入增益為250倍的放大器A2的輸入端。因?yàn)檫@些失調(diào)電壓與檢測信號無關(guān),將疊加到A2輸入的均方根值(RSS)內(nèi),產(chǎn)生等效失調(diào)電壓。假設(shè)兩個運(yùn)放都有1mV的輸入失調(diào),等效失調(diào)為
(VOS-EQ)2=(VOS_A1)2+(VOS_A2)2
其中,VOS_A1和VOS_A2是A1和A2的輸入失調(diào)電壓。
因此,以上架構(gòu)在A2輸出端產(chǎn)生的誤差電壓為250×1.4mV=350mV,這只是輸入失調(diào)的影響。運(yùn)放的失調(diào)電壓將造成14%的系統(tǒng)誤差。
電阻不匹配對CMRR的影響
第二個主要的誤差源源于運(yùn)放A1的電阻臂公差。A1的CMRR主要取決于R2/R1和R4/R3。即使兩個電阻臂的誤差為1%,但仍會產(chǎn)生90μV/V的輸出共模增益。利用1%公差的電阻,電阻臂的比例變化也會達(dá)到±2%,在最差工作條件下,將會產(chǎn)生3.6mV/V的共模電壓誤差。因此,對于10V的輸入共模電壓,在A1輸出端可能產(chǎn)生高達(dá)36mV的誤差(電阻臂1%的比例變化會產(chǎn)生0.9mV的誤差)。36mV的誤差顯然是無法接受的,它會造成增益為250倍的A2進(jìn)入飽和狀態(tài)。1%電阻臂變化可能產(chǎn)生的放大后的誤差電壓為0.9mV×250=225mV。
總誤差
總誤差包括:A1輸入失調(diào)電壓的RSS、A2輸入失調(diào)電壓以及由于電阻誤差造成的輸出誤差電壓。如上所示,1%的電阻公差加上10V的共模變化,在最差條件下可能造成36mV誤差。總計(jì)RSS輸入誤差電壓為
(VTOTAL_OS)2=(VOS_A1)2+(VOS_A2)2 +(VOS_MISMATCH)2
其中,VOS_A1和VOS_A2是A1和A2的輸入失調(diào)電壓,VOS_MISMATCH是1%電阻臂變化引起的輸入誤差電壓。
即使不考慮溫度變化的影響,A1和A2放大器的輸入失調(diào)電壓以及1%電阻臂不匹配所產(chǎn)生的總誤差也會導(dǎo)致高達(dá)1.67mV×250=417.5mV的誤差,是滿量程輸出的16.7%。另外,對于417.5mV的誤差電壓,等效于417.5mV/25=16.7mV的輸入失調(diào)誤差,這也是設(shè)計(jì)中無法接受的。
總誤差可以通過使用高精度電阻(0.1%)或有失調(diào)電壓更低的放大器得以改善。但這將進(jìn)一步增加了外部元件,提高系統(tǒng)成本。
注意,即使沒有負(fù)載的情況下,分壓電阻R4/R3和R2/R1仍然提供了一條對地的供電電流通路。這一低共模電阻對地通路將對電池供電產(chǎn)品造成很大影響,電阻的漏電流會迅速消耗電池能量。
圖4 集成高邊電流檢測放大器的基本架構(gòu)
專用高邊檢流放大器
實(shí)際應(yīng)用不僅需要在高共模電壓下檢測信號,而且還要求非常好的CMRR和低輸入失調(diào)電壓。圖4是常見的集成高邊檢流放大器(CSA),集成在很小的封裝內(nèi),從而大大縮小了電路板尺寸。采用高壓工藝制造這類IC,使其能夠處理高達(dá)80V甚至以上的共模電壓,即使在電源電壓低至2.8V的情況下。
在圖4電路中,電流流過檢測電阻時將產(chǎn)生一個小的差分電壓,加到增益電阻RG1上。該電流(與檢測電壓成正比)為鏡像電流,提供一個以地為參考的輸出電流,從高邊產(chǎn)生所要求的電位差。該電流輸出通過一個電阻或電壓緩沖器轉(zhuǎn)換成電壓信號。
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