汽車輪胎壓力傳感器芯片應(yīng)用研究

　　數(shù)學模型與分析

　　半徑為R的同平膜片的中心最大撓度為：

　　而中心島半徑ro與全膜半徑R的比值為C的單島膜中心最大撓度為：

　　當C值為0.5時（常用設(shè)計）、單島膜結(jié)構(gòu)中心最大位移僅為平膜的四分之一。

　　當E型膜片的大膜內(nèi)切半徑為R,硬心島外切半徑為ro時，其薄膜上表面的徑向和切向應(yīng)力為：

　　在處和r=R處，和取得最大值，其值大小相等，符號相反，即

,

是平膜邊緣應(yīng)力的倍。

　　從式中看出，應(yīng)力和均近似對稱，當C=0.5時，這種對稱性更好，的對稱點，即=0點在r≈0.76R處，但=0的點卻在r≈0.85R處，因此采用這種方案時電阻徑向分布尺寸不宜超過1/10R.

　　實現(xiàn)工藝要點

　　工藝版圖設(shè)計

　　當加大并加厚芯片尺寸，可實現(xiàn)芯片量程拓展，芯片為一個固邊固支的方形平膜片，具有3~10倍的過載能力，圖3為按不同量程設(shè)計的芯片工藝版圖。

圖3 按不同量程設(shè)計的芯片工藝版圖

　　主要解決的工藝技術(shù)問題：

　?、俑哔|(zhì)量的硅-硅真空鍵合工藝；

　?、诰鶆蚝透吆细衤实臏p薄工藝；

　?、鄹邷蚀_度高均勻的摻雜一致性及細長電阻條一致性控制以確保傳感器的低溫度漂移；

　?、軆?nèi)應(yīng)力匹配消除技術(shù)以確保傳感器的時間穩(wěn)定性；

　?、菹鄳?yīng)的抗電磁干擾設(shè)計；

　　⑥封裝設(shè)計與工藝中的抗高振動及離心加速度措施；