英特爾研發(fā)周期放緩 或被臺(tái)積電超過

　　雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息，但先前的報(bào)道顯示，Intel將把Haswell中的FIVR(全集成式電壓調(diào)節(jié)模塊)重新置入其中。

　　理論上，雖然內(nèi)置FIVR會(huì)增加部分芯片面積，但對電壓的控制會(huì)更加精確，從而實(shí)現(xiàn)更加省電，但這一點(diǎn)在Haswell上卻并沒有得到體現(xiàn)——由于加入了FIVR，TDP(熱設(shè)計(jì)功耗)非但沒有下降，反而從前代的77W進(jìn)一步增加到了84W。

　　但I(xiàn)ntel顯然并沒有對FIVR技術(shù)完全死心，看來Intel很有可能會(huì)把成熟的FIVR技術(shù)重新引入到10nm級芯片中。

　　在10nm工藝節(jié)點(diǎn)上，Tiger Lake架構(gòu)將成為Intel的第二次“Tock”。“Tiger Lake”這一代號雖然在此前的報(bào)道中從未被提及過，但這表明了Intel在10nm的工藝節(jié)點(diǎn)上也將沿用三代。

　　Tick-Tock或?qū)⒚媾R臺(tái)積電的技術(shù)挑戰(zhàn)

　　但是，如果Intel真的要按照這個(gè)發(fā)展戰(zhàn)略來不緊不慢地提升自己的技術(shù)，那么臺(tái)積電“在2017年達(dá)到7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，2020年達(dá)到5nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)”的戰(zhàn)略規(guī)劃顯然要比Intel來的更為樂觀。

　　“臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2018年上半年開始生產(chǎn)7nm制程的芯片，不僅如此，我們在極紫外光刻技術(shù)(EUV)上已經(jīng)取得了重大突破，很可能會(huì)在5nm工藝制程上應(yīng)用。”

　　——臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德

　　而Intel官方則表示，如果在5nm節(jié)點(diǎn)上硅仍然是一個(gè)可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見到這一芯片。

　　不過，此前業(yè)內(nèi)的諸多人士都表示硅不會(huì)成為5nm級芯片上最具成本效益的材料，并且目前也已經(jīng)有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì)，如碳納米管等。所以Intel的這個(gè)前提有些耐人尋味。