英特爾14nm制程比臺(tái)積電強(qiáng)太多 但龍頭優(yōu)勢(shì)難保

　　過(guò)去幾年時(shí)間里，英特爾雖然在桌面領(lǐng)域仍過(guò)著“無(wú)敵是多么空虛”的日子，但是圍繞其芯片制造技術(shù)的話題討論越來(lái)越多了，特別是與很多開(kāi)始被人熟知的芯片制造廠商相比，比如臺(tái)灣的芯片制造商臺(tái)積電。

　　很多話題討論的開(kāi)始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對(duì)制造工藝的升級(jí)。最初，臺(tái)積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20 納米”過(guò)渡的“14/16納米”，而且將會(huì)重點(diǎn)發(fā)展稱之為“FinFET”的晶體管結(jié)構(gòu)器件，重點(diǎn)宣傳新工藝相比傳統(tǒng)而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

　　另一方面，當(dāng)時(shí)英特爾也正處于 22 納米工藝技術(shù)到 14 納米的過(guò)渡中，并且英特爾也掌握了第二代 FinFET(Tri-Gate)器件技術(shù)。不過(guò)，英特爾的動(dòng)作太慢了，導(dǎo)致三星和臺(tái)積電各自挑釁稱，其 16 和 14 納米已經(jīng)領(lǐng)先英特爾，而英特爾仍無(wú)法完全脫離 22 納米的工藝制程，并且還有事實(shí)證明，臺(tái)積電的 20 納米工藝的晶體管密度比英特爾的 22 納米更高。

　　英特爾從 22 納米過(guò)渡到 14 納米的時(shí)間實(shí)在過(guò)于漫長(zhǎng)，這點(diǎn)不假，而且英特爾也意識(shí)到了，在工藝制程技術(shù)同步發(fā)展的過(guò)程中，晶體管密度的競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)重要。事實(shí)上，面對(duì)民間乃至業(yè)界廣為談?wù)摰恼`導(dǎo)性話題，英特爾并沒(méi)有刻意的做任何回應(yīng)，但當(dāng)英特爾正式公布自家 14 納米技術(shù)時(shí)，才真正確定了不可動(dòng)搖的領(lǐng)先地位。

　　下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

　　從這個(gè)英特爾的圖來(lái)看，英特爾承認(rèn)自家的 32 納米不如 28 納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到 22 納米與 20 納米工藝的對(duì)比，結(jié)果亦是如此。不過(guò)，確實(shí)只有在 14 納米和 16 納米工藝節(jié)點(diǎn)，才超過(guò)了其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，確立起領(lǐng)先的地位。

　　所以，三星和臺(tái)積電所說(shuō)的都是事實(shí)，這兩大越來(lái)越出色的芯片代工廠在 20 納米制程時(shí)代確實(shí)領(lǐng)先于英特爾 22 納米。但不可否認(rèn)英特爾新一代 14 納米更為出色，至少晶體管密度的優(yōu)勢(shì)上超過(guò)了其他對(duì)手的 14/16 納米工藝節(jié)點(diǎn)。

　　工藝是一回事，那晶體管的實(shí)際性能呢?

　　多年以來(lái)，英特爾從未放棄過(guò)任何吹噓自己的芯片技術(shù)，只是在臺(tái)積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒(méi)有過(guò)度宣傳自家的第二代 FinFET 工藝，畢竟其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在其 14 納米問(wèn)世時(shí)，均處于第一代 FinFET 工藝水平。簡(jiǎn)單的說(shuō)，英特爾 14 納米正式問(wèn)世之初，從晶體管性能的角度來(lái)看，整整領(lǐng)先了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代。

　　在很多對(duì)芯片深度評(píng)測(cè)的機(jī)構(gòu)報(bào)告中，尤其是權(quán)威站點(diǎn) ChipWorks，我們可以看到英特爾 14 納米晶體管所有性能指標(biāo)均領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。更重要的是，ChipWorks 通過(guò)先進(jìn)的透射電子顯微鏡觀察分析發(fā)現(xiàn)，英特爾 14 納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個(gè)星球上迄今最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，全面領(lǐng)先代工廠的 14/16 納米。