IEGT與SiC降低損耗

　　東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。

　　東芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”。

　　東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司

　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料等，可以實現(xiàn)節(jié)能及小型化。

　　在封裝方面，東芝有壓接式封裝IEGT(PPI封裝)，像放大許多的紐扣電池。該封裝從2000年以前開始量產(chǎn)，通過這種獨特的雙面散熱結(jié)構(gòu)，可以明顯提高功率密度(東芝目前最高提供4.5KV 3KA PPI IEGT)。因此，推薦對可靠性、高功率密度要求較高的客戶(如柔性直流輸電、海上風(fēng)電等)優(yōu)先選用PPI封裝的IEGT。

　　2014年東芝推出搭載SiC二極管的混合型模塊。這類產(chǎn)品獨特的構(gòu)造可以大幅度減小在電源開關(guān)時的損耗，二極管反向恢復(fù)損耗減少97%(3.3kV、1500A產(chǎn)品的數(shù)據(jù))，有最終客戶采用東芝SiC混合模塊做出的變流器比原Si模塊變流器體積減少40%。

　　目前遇到的主要挑戰(zhàn)是SiC器件價格高、制造良率控制困難。東芝在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、制造工藝設(shè)計上持續(xù)改良以面對上述情況。東芝目前量產(chǎn)了三款混合型SiC模塊(SiC二極管+Si IEGT)：1700V 1200A 雙管;1700V 1200A 斬波模塊;3300V 1500A 單管。后續(xù)將會陸續(xù)推出 All SiC模塊(SiC MOS + SiC 二極管)：1200V/1700V/3300V 系列產(chǎn)品。

　　推薦成本敏感的客戶優(yōu)先試用混合型SiC模塊，后續(xù)逐步切換到All SiC模塊。