傳三星PK臺(tái)積電 修正晶元代工戰(zhàn)略

　　三星量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM芯片

　　根據(jù)日經(jīng)技術(shù)在線(xiàn)對(duì)三星的報(bào)道，我們看到2016年開(kāi)始，三星DRAM采用10nm級(jí)工藝的工作一直在推動(dòng)中，并且展示出了新產(chǎn)品和新工藝。

　　2016年4月5日，韓國(guó)三星電子宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級(jí)工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。

　　此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(jí)(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(QuadruplePatterningTechnology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲(chǔ)電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1y)工藝的開(kāi)發(fā)。

　　新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，較現(xiàn)有20nm級(jí)DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%，而耗電量削減了10～20%。三星預(yù)定在不久的將來(lái)開(kāi)發(fā)采用此次的10nm級(jí)工藝的移動(dòng)DRAM。

　　該公司還將采用以此次的8Gbit產(chǎn)品為首的10nm級(jí)DDR4型DRAM芯片生產(chǎn)存儲(chǔ)器模塊(內(nèi)存條)。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊，面向企業(yè)服務(wù)器推出128GB的模塊。之前采用20nm級(jí)DRAM的DDR4型DRAM內(nèi)存將在2016年內(nèi)陸續(xù)換成10nm級(jí)產(chǎn)品。

　　6月7日，三星電子與美國(guó)新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會(huì)議上公開(kāi)了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線(xiàn)圖。此次會(huì)議與第53屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(53rdDesignAutomationConference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國(guó)奧斯汀舉行。

　　會(huì)議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來(lái)自三星的演講嘉賓是FoundryMarketingSamsungSSI的高級(jí)總監(jiān)KelvinLow。KelvinLow主要圍繞10nm工藝發(fā)表了演講，同時(shí)還介紹了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工藝。

　　從此次公布的路線(xiàn)圖來(lái)看，三星在10nm方面將首先推出“10LPE”，然后再推出“10LPP”。關(guān)于10LPE，2014年該公司公開(kāi)了PDK(ProcessDesignKit，工藝設(shè)計(jì)套件)，2015年完善了設(shè)計(jì)流程及LibraryIP。進(jìn)入2016年之后，開(kāi)始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。后來(lái)，該公司又公開(kāi)了10LPP的PDK。并打算在2016年內(nèi)完善10LPP的設(shè)計(jì)流程及LibraryIP，并于2016年底開(kāi)始進(jìn)行10LPP的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。10nm的正式量產(chǎn)將從2017年早些時(shí)候開(kāi)始。另外，據(jù)KelvinLow介紹，10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍，芯片面積縮小至68%，10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍，芯片面積縮小至68%。

　　KelvinLow還表示，10nm工藝時(shí)代將會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間。之后，將會(huì)在短時(shí)期內(nèi)采用液浸ArF7nm工藝生產(chǎn)。“就像平面型22nm是過(guò)渡至FinFET14nm的中間工藝那樣，二者十分相似”。液浸ArF7nm之后，將會(huì)迎來(lái)真正的7nm時(shí)代。真正的7nm工藝將使用EUV(ExtremeUltraviolet)曝光技術(shù)。EUV7nm工藝可將液浸ArF7nm工藝使用的約80枚掩膜減少至60枚左右。另外，關(guān)于兩種7nm工藝，此次的路線(xiàn)圖并未給出明確的時(shí)間。

　　2016年全球半導(dǎo)體需求下滑競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　Gartner預(yù)測(cè)，2016年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3，330億美元，較2015年減少0.6%。這已是連續(xù)第二年下滑，2015年主要電子設(shè)備需求疲軟、庫(kù)存水準(zhǔn)升高加上強(qiáng)勢(shì)美元持續(xù)為部分地區(qū)帶來(lái)沖擊，全球半導(dǎo)體營(yíng)收已出現(xiàn)2.3%跌幅。Gartner研究總監(jiān)JamesHines表示：“全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)期將出現(xiàn)史上第二次營(yíng)收連續(xù)兩年下滑的紀(jì)錄。由于半導(dǎo)體業(yè)仍在等待下一波足以帶動(dòng)需求的動(dòng)能出現(xiàn)，我們預(yù)料2016年市場(chǎng)將下滑0.6%。”

　　個(gè)人電腦(PC)、Ultramobile與智慧手機(jī)產(chǎn)業(yè)紛紛下調(diào)產(chǎn)量預(yù)估值，2016年半導(dǎo)體需求也因此萎縮，且短期內(nèi)似乎看不到明顯動(dòng)能足以抵銷(xiāo)這幾個(gè)半導(dǎo)體關(guān)鍵市場(chǎng)里需求下滑的頹勢(shì)。盡管物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與穿戴式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域逐漸看到半導(dǎo)體商機(jī)，但相關(guān)市場(chǎng)仍處于開(kāi)發(fā)初期，規(guī)模太小不足以對(duì)2015年整體半導(dǎo)體營(yíng)收成長(zhǎng)造成明顯影響。相信，隨著市場(chǎng)需求下滑，臺(tái)積電、三星和其他半導(dǎo)體廠(chǎng)商之間的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)日趨激烈。