莫大康分析說，存儲器相對3D最容易實現(xiàn)，因為是把同一種芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲器將在3D方面打先鋒。未來NAND閃存競爭將迎來加高堆疊層數(shù)來實現(xiàn)大容量化的、徹底的技術(shù)轉(zhuǎn)型。
莫大康最后指出，3D的路其實不好走，技術(shù)方面難度大，尤其是異質(zhì)架構(gòu)。其實最理想的是異質(zhì)架構(gòu)把邏輯、存儲器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實現(xiàn)半導(dǎo)體又一次大躍進，但目前還達不到。
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