三星高管偷賣的14/10nm工藝 到底是什么機(jī)密？

　　據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)密(三星14nm、10nm工藝)賣給了某中國(guó)公司，而對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(具體是誰未公開)。

　　傳言稱，14nm工藝非常卓越，GF、AMD等著名廠商對(duì)其非常依賴。掌握了這項(xiàng)工藝，甚至更先進(jìn)的10nm工藝，也就掌握了未來芯片行業(yè)的話語權(quán)。

　　14/10nm究竟是什么?

　　這還得從處理器的基本組成說起。一般來說，一顆微處理器是由不同材料制成的許多“層”堆疊起來的電路，里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。這些微小元件用肉眼很難看清楚，因?yàn)樗鼈兊某叽绶浅Ｖ?，并且?shù)量之多，密集的讓人難以想象。

　　這些小元件整齊的排列在一塊“板子”上，它們相互之間都有縫隙，這個(gè)縫隙實(shí)質(zhì)就是元件與元件之間的距離，這個(gè)距離一般用毫微米進(jìn)行衡量。后來納米概念誕生后，就一直沿用“納米”(nanometers)來描述這個(gè)距離。

　　也就是說，14/10nm其實(shí)就是芯片上元件間的間距，這個(gè)間距越小，排列在芯片上的元件就越多。這意味著性能更加強(qiáng)大，能效表現(xiàn)更為優(yōu)異。

　　這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

　　14nm的誕生

　　在2014年，當(dāng)大部分廠商還在研究22nm的FinFET工藝時(shí)，英特爾已經(jīng)推進(jìn)到了14nm工藝。在芯片行業(yè)的推進(jìn)上，英特爾可以說是獨(dú)步天下。

　　從2007年的45nm工藝，到2009年的32nm工藝，到2011年的22nm工藝，再到2014年的14nm工藝，無與倫比的先進(jìn)制造工藝，讓全球廠商為之眼紅。

　　然而，看似風(fēng)光的英特爾，在推進(jìn)過程中也遇到不少難題。據(jù)英特爾稱，他們本該2013年底時(shí)就會(huì)推出14nm的測(cè)試芯片，并于2014年開始量產(chǎn)，但實(shí)際比原推進(jìn)計(jì)劃晚了幾個(gè)季度。由于14nm工藝良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

　　三星的14nm工藝

　　在2014年底，也就是英特爾的14nm工藝推出沒幾個(gè)月，三星就直接宣布進(jìn)入14nm工藝。

　　這前所未有的舉動(dòng)在業(yè)界瞬間轟動(dòng)了起來，甚至連英特爾都坐不住了。要知道，在這之前，英特爾的制造工藝在業(yè)內(nèi)是處于絕對(duì)領(lǐng)先的地位的。

　　三星此舉讓同為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電也自愧不如，但隨后又爆出猛料，稱該公司前員工加入三星后，將TSMC自家的28nm工藝泄露給了三星，這對(duì)于三星14nm工藝進(jìn)度起了至關(guān)重要的作用。

　　這樣說也無可厚非，畢竟三星可是跳過了20nm，直接進(jìn)入了14nm工藝，并且據(jù)臺(tái)積電稱，三星的14nm工藝帶有臺(tái)積電的技術(shù)特性。

　　看來，三星的14nm工藝并不純正。