三星高管偷賣(mài)的14/10nm工藝 到底是什么機(jī)密?
除此之外,臺(tái)積電高管還爆料,最早采用FinFET的16納米工藝,原本計(jì)劃跟隨英特爾,稱為20納米FinFET。因?yàn)樵摴に嚨碾娋w最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多,只是換上全新的FinFET電晶體。然而,三星搶先命名為“14nm”!也就是說(shuō),三星的出現(xiàn),擾亂了市場(chǎng)的命名的慣例。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201609/310309.htm在14nm上逐漸趕上英特爾的三星,在10nm的研究上,幾乎和強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾站在了同一起跑線上。
然而,10nm的研究,似乎并不順利。
按照英特爾的計(jì)劃,10nm預(yù)計(jì)在2015年就能推出,由于14nm工藝的跳票,打亂了時(shí)間節(jié)點(diǎn),并且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。
目前,英特爾10nm工藝已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn),并且表示將在2017年上半年量產(chǎn)10nm,在下半年發(fā)布10nm產(chǎn)品。
反觀三星,雖然在去年展示了10nm的晶圓,并表示將在2017年量產(chǎn)10nm工藝。但是到目前為止,幾乎沒(méi)什么動(dòng)靜。
與三星同為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電卻是非常高調(diào),宣布將在今年底開(kāi)始量產(chǎn)10nm。這一點(diǎn)也是可以理解,畢竟與三星同為晶圓代工,誰(shuí)先勝出,誰(shuí)就能得到更多的代工業(yè)務(wù)。
不過(guò),有專業(yè)人士透露,臺(tái)積電的十六納米等于英特爾的二十納米、十納米等于英特爾的十二納米……在這一方面,臺(tái)積電也是積極承認(rèn)。
納米工藝的進(jìn)步,使得我們?cè)谕瑯哟笮〉男酒?,能夠感受更?qiáng)大的性能;在運(yùn)行速度更快的同時(shí),也更加省電;這些更小的晶體元件,只需要更低的導(dǎo)通電壓,能效也會(huì)隨之提升;最為重要的是,組件越小,同一片晶圓可切割出來(lái)的芯片就可以更多。即使更小的工藝需要更昂貴的設(shè)備,其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。
未來(lái),7nm,5nm甚至更小的納米制造工藝也會(huì)相繼出現(xiàn),雖然有專家分析,目前10nm工藝或許將成為硅材料晶體管的物理極限。但英特爾等廠商不會(huì)停止不前,因?yàn)?,他們?duì)于“極限”的追求是永無(wú)止境的。
評(píng)論