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臺(tái)積電或靠7nm制程稱霸全球半導(dǎo)體市場(chǎng)

作者: 時(shí)間:2016-10-12 來(lái)源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 收藏
編者按:以制程進(jìn)度分析,臺(tái)積電可望在2017年和2018年,相繼靠著10nm及7nm,稱霸全球半導(dǎo)體市場(chǎng),并拉開(kāi)和三星及英特爾二大強(qiáng)敵差距。

  半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者透露,三星導(dǎo)入制程進(jìn)度不如預(yù)期,恐無(wú)法如原先規(guī)劃在明年量產(chǎn),反觀將于明年第1季進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),良率在既定進(jìn)度內(nèi)前進(jìn),預(yù)定明年第4季投片,2018年起貢獻(xiàn)營(yíng)收。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201610/311214.htm

  內(nèi)部將視為與英特爾和三星最重要的戰(zhàn)役,尤其英特爾已和安謀(ARM)簽署授權(quán)協(xié)議,將采用安謀的架構(gòu),在10nm制程提供代工服務(wù),與正面交鋒,更讓臺(tái)積電不敢稍有懈怠。

  三星在蘋果A10處理器代工訂單全被臺(tái)積電吃下之后,決定卷土重來(lái),將重心押在7nm,并且決定提前在7nm導(dǎo)入由愛(ài)司摩爾(ASML)開(kāi)發(fā)最新EUV(極紫外光)微影設(shè)備,用在半導(dǎo)體量產(chǎn)制程。

  三星原預(yù)估,明年上半年裝設(shè)完成并進(jìn)行7nm量產(chǎn),不過(guò),半導(dǎo)體設(shè)備商透露,三星7nm研發(fā)進(jìn)度嚴(yán)重落后,明年接單難度甚高。

  相較之下,臺(tái)積電因有10nm制程掌握蘋果、聯(lián)發(fā)科及海思等重要客戶導(dǎo)入的優(yōu)勢(shì),且7nm在電晶體反應(yīng)速度和功能及功能等表現(xiàn),比10nm更優(yōu)越,讓臺(tái)積電一線大客戶,甚至包括原本在三星投片的高通,也將大單轉(zhuǎn)回臺(tái)積電,凸顯臺(tái)積電在7nm獲國(guó)際大廠肯定。

  臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)暨總經(jīng)理劉德音先前透露,臺(tái)積電10nm制程預(yù)計(jì)本季到明年第1季量產(chǎn);7nm預(yù)定明年第1季進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。臺(tái)積電預(yù)估,7nm將于2018年第1季貢獻(xiàn)營(yíng)收,可望領(lǐng)先全球成為首家提供7nm制程代工的晶圓廠。

  此外,臺(tái)積電5nm制程也正如火如茶進(jìn)行研發(fā),并編列近400人研發(fā)團(tuán)隊(duì),投入更先進(jìn)的3nm制程研發(fā),并朝1nm制程邁進(jìn),展現(xiàn)臺(tái)積電超車英特爾之后,持續(xù)拉大領(lǐng)先距離的企圖心。



  圖/經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供



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