高速H橋上管驅(qū)動(dòng)電路

作者：時(shí)間：2016-11-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

加入技術(shù)交流群
- 掃碼加入
  和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
  海量資料庫(kù)查詢(xún)

高速H橋上管驅(qū)動(dòng)電路

上例方案的速度瓶頸為光耦，如果不采用光耦那么控制信號(hào)的頻率可以提高很多。通過(guò)試驗(yàn)，我們開(kāi)發(fā)了如下的高速型H橋上管驅(qū)動(dòng)電路。方案如圖9所示。

圖中上管控制信號(hào)高電平為+l2 V，低電平為0 V。控制信號(hào)通過(guò)電阻電容和二極管電路加到Q1的基極，Q1的集電極輸出作為

圖9 高速 H橋上管驅(qū)動(dòng)電路
Fig．9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2，Q3組成的差動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路控制信號(hào)，差動(dòng)電路的輸出作為Ml的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。Q2，Q3組成的差動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路上端Q2接 +l2 V電源，下端Q3接到Ml的s極。當(dāng)上管控制信號(hào)為低電平時(shí)，Q2導(dǎo)通，Q3截止，Ml的G極約為 D+l2 V，使Ml可順利導(dǎo)通。Ml導(dǎo)通后，其D極和s極之間為通路，幾乎沒(méi)有壓降，此時(shí)s極也為l，DD，則Ml的G和s之間的壓差為l2 V，滿(mǎn)足MOS管的導(dǎo)通條件，Ml可維持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)上管控制信號(hào)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，Q2截止，Q3導(dǎo)通，使Ml的G和s極之間壓差很小，不能滿(mǎn)足MOS管的導(dǎo)通條件，則Ml截止。需要指出的是，當(dāng)Q2導(dǎo)通M1尚未導(dǎo)通的瞬間，Ml的G和s間壓差為l，DD+l2 V，但由于MOS管的開(kāi)啟時(shí)間極短(幾十US)，Q2導(dǎo)通時(shí)，Ml幾乎同時(shí)開(kāi)啟，使MJ的G和s之問(wèn)的壓差保證為12V(如圖10)。