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S3C2440對(duì)Nand Flash操作和電路原理(基于K9F2G08U0A)

作者: 時(shí)間:2016-11-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

該段程序先判斷該頁(yè)所在的壞是否為壞塊,如果是則退出。在最后寫(xiě)操作失敗后,還要標(biāo)注該頁(yè)所在的塊為壞塊,其中所用到的函數(shù)rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock,我們?cè)诤竺娼榻B。我們?cè)倏偨Y(jié)一下該程序所返回?cái)?shù)值的含義,0x42:表示該頁(yè)所在的塊為壞塊;0x43:表示寫(xiě)操作失敗,并且在標(biāo)注該頁(yè)所在的塊為壞塊時(shí)也失??;0x44:表示寫(xiě)操作失敗,但是標(biāo)注壞塊成功;0x66:寫(xiě)操作成功。

擦除是以塊為單位進(jìn)行的,因此在寫(xiě)地址周期是,只需寫(xiě)三個(gè)行周期,并且要從A18開(kāi)始寫(xiě)起。與寫(xiě)操作一樣,在擦除結(jié)束前還要判斷是否擦除操作成功,另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要標(biāo)注壞塊的問(wèn)題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序:

U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)

{

char stat, temp;

temp = rNF_IsBadBlock(block_number); //判斷該塊是否為壞塊

if(temp == 0x33)

return 0x42; //是壞塊,返回

NF_nFCE_L(); //打開(kāi)片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_ERASE1); //擦除命令周期1

//寫(xiě)入3個(gè)地址周期,從A18開(kāi)始寫(xiě)起

NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff); //行地址A18~A19

NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_ERASE2); //擦除命令周期2

delay(1000); //延時(shí)一段時(shí)間

NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1,即是否在忙,該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB();相同

do{

stat = NF_RDDATA8();

}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H(); //關(guān)閉Nand Flash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0,為0則擦除操作正確,否則錯(cuò)誤

if (stat & 0x1)

{

temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標(biāo)注該塊為壞塊

if (temp == 0x21)

return 0x43 //標(biāo)注壞塊失敗

else

return 0x44; //擦除操作失敗

}

else

return 0x66; //擦除操作成功

}

該程序的輸入?yún)?shù)為K9F2G08U0A的第幾塊,例如我們要擦除第2001塊,則調(diào)用該函數(shù)為:rNF_EraseBlock(2001)。

K9F2G08U0A除了提供了頁(yè)讀和頁(yè)寫(xiě)功能外,還提供了頁(yè)內(nèi)地址隨意讀、寫(xiě)功能。頁(yè)讀和頁(yè)寫(xiě)是從頁(yè)的首地址開(kāi)始讀、寫(xiě),而隨意讀、寫(xiě)實(shí)現(xiàn)了在一頁(yè)范圍內(nèi)任意地址的讀、寫(xiě)。隨意讀操作是在頁(yè)讀操作后輸入隨意讀命令和頁(yè)內(nèi)列地址,這樣就可以讀取到列地址所指定地址的數(shù)據(jù)。隨意寫(xiě)操作是在頁(yè)寫(xiě)操作的第二個(gè)頁(yè)寫(xiě)命令周期前,輸入隨意寫(xiě)命令和頁(yè)內(nèi)列地址,以及要寫(xiě)入的數(shù)據(jù),這樣就可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)入到列地址所指定的地址內(nèi)。下面兩段程序?qū)崿F(xiàn)了隨意讀和隨意寫(xiě)功能,其中隨意讀程序的輸入?yún)?shù)分別為頁(yè)地址和頁(yè)內(nèi)地址,輸出參數(shù)為所讀取到的數(shù)據(jù),隨意寫(xiě)程序的輸入?yún)?shù)分別為頁(yè)地址,頁(yè)內(nèi)地址,以及要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。

U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)

{

NF_nFCE_L(); //打開(kāi)Nand Flash片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_READ1); //頁(yè)讀命令周期1

//寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_READ2); //頁(yè)讀命令周期2

NF_DETECT_RB(); //等待RnB信號(hào)變高,即不忙

NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1); //隨意讀命令周期1

//頁(yè)內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7

NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11

NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2); //隨意讀命令周期2

return NF_RDDATA8(); //讀取數(shù)據(jù)

}

U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)

{

U8 temp,stat;

NF_nFCE_L(); //打開(kāi)Nand Flash片選

NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_WRITE1); //頁(yè)寫(xiě)命令周期1

//寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7

NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19

NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE); //隨意寫(xiě)命令

//頁(yè)內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7

NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11

NF_WRDATA8(dat); //寫(xiě)入數(shù)據(jù)

NF_CMD(CMD_WRITE2); //頁(yè)寫(xiě)命令周期2

delay(1000); //延時(shí)一段時(shí)間

NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1,即是否在忙,該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB();相同

do{

stat = NF_RDDATA8();

}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H(); //關(guān)閉Nand Flash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0,為0則寫(xiě)操作正確,否則錯(cuò)誤

if (stat & 0x1)

return 0x44; //失敗

else

return 0x66; //成功

}

下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及標(biāo)注壞塊的那兩個(gè)程序:rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這里,我們定義在spare區(qū)的第6個(gè)地址(即每頁(yè)的第2054地址)用來(lái)標(biāo)注壞塊,0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時(shí),利用隨意讀命令來(lái)讀取2054地址的內(nèi)容是否為0x44,要標(biāo)注壞塊時(shí),利用隨意寫(xiě)命令來(lái)向2054地址寫(xiě)0x33。下面就給出這兩個(gè)程序,它們的輸入?yún)?shù)都為塊地址,也就是即使僅僅一頁(yè)出現(xiàn)問(wèn)題,我們也標(biāo)注整個(gè)塊為壞塊。

U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)

{

return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);

}

U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)

{

U8 result;

result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);

if(result == 0x44)

return 0x21; //寫(xiě)壞塊標(biāo)注失敗

else

return 0x60; //寫(xiě)壞塊標(biāo)注成功

}

關(guān)于Nand Flash的基本操作就介紹到這吧


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