讓單片機(jī)運(yùn)行速度更快一些
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所以，在RamApp.lnx中指定的定位規(guī)則應(yīng)該在SDRAM中，如下：
MEMORY
{
ram1: ORIGIN = 0x00003000, LENGTH = 0xf000
ram: ORIGIN = 0x00F00000, LENGTH = 0x7000
}
SECTIONS
{
.data : {} > ram1
.text : {} > ram
}
最后，在860單片機(jī)系統(tǒng)的地址映射規(guī)則如圖2所示。對(duì)照?qǐng)D1，可以觀察到這和傳統(tǒng)的程序地址映射有很大不同。
圖2地址映射表
3.2 搬運(yùn)的過(guò)程
860T上電復(fù)位，RomTool.bin首先被執(zhí)行，完成初始化工作后，運(yùn)行代碼搬運(yùn)函數(shù)，將RAMapp.bin搬運(yùn)到SDRAM中，隨后改變PC(Program Counter)的值，無(wú)條件轉(zhuǎn)移到SDRAM中運(yùn)行RAMapp.bin，如圖3所示。
圖3從Flash到SDRAM搬運(yùn)代碼的過(guò)程
3.3 搬運(yùn)代碼的驅(qū)動(dòng)模塊及跳轉(zhuǎn)模塊源代碼
(1)搬運(yùn)代碼驅(qū)動(dòng)模塊的代碼
void MoveCodeF_to_RAM(UWORD *FlashCode_Add, UWORD *RamCode_Add,UWORD CodeLen) {
do{
*RamCode_Add++ = *FlashCode_Add++;
CodeLen?
} while ( CodeLen!=0)
}
該段代碼是將開(kāi)始地址為FlashCode_Add，長(zhǎng)度為CodeLen的Flash代碼搬運(yùn)到開(kāi)始地址為RamCode_Add，長(zhǎng)度為CodeLen的SDRAM 中。
(2)主函數(shù)及跳轉(zhuǎn)模塊
#define FlashCode_Add_V 0x02810000
#define RamCode_Add_V 0x00f00000
#define CodeLen_V 0x00070000/4
void main(){
UWORD *I=(UWORD *) FlashCode_Add_v;
UWORD *j= (UWORD *) RamCode_Add_v;
UWORD *k= (UWORD *) CodeLen_V;
MoveCodeF_to_RAM( (UWORD *) i, (UWORD *) j, (UWORD *)k );
# 跳轉(zhuǎn)模塊
asm(“addis r2,0,0x00f0”);
asm(“ori r2,r2,0x0000”); # 代碼起始地址0x00f00000
asm(“mtspr LR,r2”);
asm(“bclr 20,0”); # 無(wú)條件轉(zhuǎn)跳到鏈接寄存器
# (LR)中的地址
}
FlashCode_Add_V：被搬運(yùn)代碼的首地址，在Flash中。
RamCode_Add_V：被搬運(yùn)代碼的目標(biāo)地址，在RAM中。
CodeLen_V：被搬運(yùn)代碼的長(zhǎng)度，按32位計(jì)算。
該函數(shù)在調(diào)用代碼搬運(yùn)MoveCodeF_to_RAM函數(shù)，將代碼從Flash搬運(yùn)到SDRAM中后，將程序指針轉(zhuǎn)移到SDRAM中。注意跳轉(zhuǎn)的地址一定要和RamCode_Add_V一致。
4 小 結(jié)
可見(jiàn)，正確完成代碼搬運(yùn)的關(guān)鍵在于：
① 確定被搬運(yùn)代碼的物理地址映射規(guī)則， 物理地址一定是在SDRAM中；
② 被搬運(yùn)代碼是被燒結(jié)在Flash中，后來(lái)又被搬運(yùn)到SDRAM中；
③ 無(wú)條件轉(zhuǎn)移到SDRAM中，運(yùn)行被搬運(yùn)代碼(應(yīng)用程序代碼)。
對(duì)于其它型號(hào)的單片機(jī)，可以根據(jù)該原理類(lèi)推，方法是一樣的，只是具體的代碼不同而已。相信你的單片機(jī)系統(tǒng)在經(jīng)過(guò)這樣的處理后，效率一定會(huì)高很多。
評(píng)論