綜述開(kāi)關(guān)電源EMC產(chǎn)生機(jī)理及其對(duì)策

關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器(米勒電容， 10皮法/ 1千伏電容)。

　　21.空間允許的話(huà)放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

　　22. 不要把AC插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

　　開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

　　作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線(xiàn)路板 (PCB)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

　　1MHZ以?xún)?nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決

　　1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;

　　5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

　　30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.

　　100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

　　100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

　　開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

　　1MHZ 以?xún)?nèi)----以差模干擾為主

　　1.增大X 電容量;

　　2.添加差模電感;

　　3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

　　1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，

　　1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

　　2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

　　3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。

　　5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

　　對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

　　對(duì)于20--30MHZ，

　　1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

　　3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

　　4.改變PCB LAYOUT;

　　5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感;

　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

　　7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

　　9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

　　30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，

　　1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

　　2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

　　3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決;

　　4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感;

　　5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

　　6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

　　8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，

　　1.可以在整流管上串磁珠;

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

　　200MHZ 以上 開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

　　輻射在30～300MHz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)

　　通過(guò)在電源線(xiàn)上增加去耦磁環(huán)(可開(kāi)合)進(jìn)行驗(yàn)證，如果有改善則說(shuō)明和電源線(xiàn)有關(guān)系，采用以下整改方法：如果設(shè)備有一體化濾波器，檢查濾波器的接地是否良好，接地線(xiàn)是否盡可能短;

　　金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線(xiàn)是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;調(diào)整Y電容時(shí)要注意安全問(wèn)題;改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射，但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;也可在開(kāi)關(guān)管晶體管的集電極(或者是MOS管的漏極)或者是次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開(kāi)關(guān)噪聲。開(kāi)關(guān)電源板在PCB布線(xiàn)時(shí)一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。在PCB電源走線(xiàn)中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線(xiàn)時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;在電源線(xiàn)上套磁環(huán)進(jìn)行比對(duì)驗(yàn)證，以后可以通過(guò)在單板上增加共模電感來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入AC線(xiàn)的L線(xiàn)的長(zhǎng)度盡量短;

　　屏蔽設(shè)備內(nèi)部，孔縫附近是否有干擾源;結(jié)構(gòu)件搭接處是否噴有絕緣漆，采用砂布將絕緣漆擦掉，作比較試驗(yàn)。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。