綜述開關(guān)電源EMC產(chǎn)生機(jī)理及其對策

關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個(gè)小徑向引線電容器(米勒電容， 10皮法/ 1千伏電容)。

　　21.空間允許的話放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

　　22. 不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。

　　開關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

　　作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板 (PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計(jì)的難度。

　　1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決

　　1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;

　　5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對于25--30MHZ不過可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

　　30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來解決.

　　100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

　　100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問題,但垂直方向就很無奈了

　　開關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

　　1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

　　1.增大X 電容量;

　　2.添加差模電感;

　　3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

　　1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，

　　1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

　　2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

　　3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。

　　5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

　　對于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

　　對于20--30MHZ，

　　1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

　　3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

　　4.改變PCB LAYOUT;

　　5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

　　7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

　　9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

　　30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，

　　1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

　　2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

　　3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;

　　4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

　　5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

　　6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

　　8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，

　　1.可以在整流管上串磁珠;

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

　　200MHZ 以上 開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

　　輻射在30～300MHz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)

　　通過在電源線上增加去耦磁環(huán)(可開合)進(jìn)行驗(yàn)證，如果有改善則說明和電源線有關(guān)系，采用以下整改方法：如果設(shè)備有一體化濾波器，檢查濾波器的接地是否良好，接地線是否盡可能短;

　　金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;調(diào)整Y電容時(shí)要注意安全問題;改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射，但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;也可在開關(guān)管晶體管的集電極(或者是MOS管的漏極)或者是次級輸出整流管對地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開關(guān)噪聲。開關(guān)電源板在PCB布線時(shí)一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。在PCB電源走線中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;在電源線上套磁環(huán)進(jìn)行比對驗(yàn)證，以后可以通過在單板上增加共模電感來實(shí)現(xiàn)，或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入AC線的L線的長度盡量短;

　　屏蔽設(shè)備內(nèi)部，孔縫附近是否有干擾源;結(jié)構(gòu)件搭接處是否噴有絕緣漆，采用砂布將絕緣漆擦掉，作比較試驗(yàn)。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。