正式開工 長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。

　　據(jù)悉，此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬片的產(chǎn)能。作為項目承載地的武漢東湖高新區(qū)，正在努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。

　　從市場角度分析，中國擁有龐大的消費(fèi)群體，個人、企業(yè)、國家數(shù)據(jù)存儲需求都在不斷攀升，還有華為、聯(lián)想、浪潮等服務(wù)器制造商，以及百度、騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭，同時中國物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模也正在以年增率30%的速度成長。

　　然而，中國在數(shù)據(jù)存儲所需要的重要芯片上缺乏關(guān)鍵技術(shù)，幾乎90%以上都要依賴國外進(jìn)口。紫光集團(tuán)聯(lián)合武漢新芯建設(shè)規(guī)模龐大的國家存儲器基地，生產(chǎn)先進(jìn)的3D NAND，將可填補(bǔ)中國在存儲器芯片領(lǐng)域的空白。

　　另外，紫光還與西部數(shù)據(jù)成立紫光西部數(shù)據(jù)有限公司，借助西部數(shù)據(jù)收購SanDisk在NAND Flash上的資源，以及西部數(shù)據(jù)在企業(yè)級市場上的優(yōu)勢，為中國本土客戶提供更好的大數(shù)據(jù)存儲解決方案及服務(wù)。

　　在國家大力發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)的契機(jī)下，紫光集團(tuán)正在集合國家政策、資金實力以及上下游企業(yè)資源，在芯片制造、IC設(shè)計、封裝測試、硬件設(shè)施等方面建立一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)系統(tǒng)，將助力中國實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)的跨越發(fā)展。