長(zhǎng)江存儲(chǔ) 文章進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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國(guó)產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價(jià)！

在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，還是遭到了美國(guó)的制裁，被列入“實(shí)體清單”，幾乎是同一時(shí)間，三星就開(kāi)始漲價(jià)了！DigiTimes報(bào)道稱(chēng)，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對(duì)突然增加的市場(chǎng)需求，三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場(chǎng)，但三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％，雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。相比之下，SK
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明

10月20日晚，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明，以下為聲明全文：近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個(gè)別媒體通過(guò)多種渠道刊登、散布“工信部與國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體企業(yè)過(guò)去一周召開(kāi)了一系列緊急會(huì)議，尋求評(píng)估拜登政府針對(duì)芯片祭出的限制措施所造成的損害，并承諾對(duì)這個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的支持”的信息，并散布關(guān)于我司參與閉門(mén)會(huì)議的不實(shí)言論。面對(duì)謠言，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一貫堅(jiān)持清者自清。但在目前市場(chǎng)環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢(shì)下，上述用心險(xiǎn)惡的不實(shí)言論不止傷害了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的企業(yè)形象，還將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴(yán)
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拆機(jī)證實(shí)，國(guó)行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn) NAND 閃存

IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī)，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋(píng)果也承認(rèn)正考慮從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu) NAND 芯片，但僅會(huì)用于在中國(guó)銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商。因此，市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為，蘋(píng)果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
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目前已經(jīng)上市長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0 SSD

今日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0固態(tài)硬盤(pán) PE310系列，適用于大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景。這個(gè)系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議，而且搭載自家第三代三維閃存芯片，讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合應(yīng)用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K隨機(jī)讀、寫(xiě)穩(wěn)態(tài)性能高達(dá)1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列固態(tài)硬盤(pán)已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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布局企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤(pán)PE310系列

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0固態(tài)硬盤(pán)PE310系列的推出，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要布局，也標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。2022年7月25日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤(pán)PE310系列，正式進(jìn)入高端企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)。該產(chǎn)品是繼消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)器之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列基于晶棧?2.0（Xtacking?2.0）技術(shù)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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祥龍電業(yè)：小而干凈的國(guó)企殼，會(huì)注入長(zhǎng)江存儲(chǔ)半導(dǎo)體還是氫能源

1、國(guó)企改革背景今年是國(guó)企改革三年行動(dòng)的最后一年，也是收官之年。國(guó)企改革的目標(biāo)是支持企業(yè)做大做強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，提升公司的資產(chǎn)證券化率。三年行動(dòng)計(jì)劃強(qiáng)調(diào)國(guó)企向優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈靠近，鼓勵(lì)國(guó)企布局新興產(chǎn)業(yè)，此背景下相關(guān)央企有望在業(yè)績(jī)改善的同時(shí)獲得估值重塑。湖北省和武漢市最近在國(guó)企改革方面也是頻頻出手，我們先來(lái)看下最近的幾個(gè)案例2022年3月，榮豐控股公告變更實(shí)控人。原控股股東盛世達(dá)投資與湖北新動(dòng)能基金簽署了《股份轉(zhuǎn)讓框架協(xié)議》，實(shí)控人變成湖北省國(guó)資委。2022年3月28日，三峽旅游注入新的資產(chǎn)。2022年4
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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國(guó)產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步：長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過(guò)192層閃存切入232層

2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱(chēng)，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，
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國(guó)產(chǎn)芯片彎道超車(chē)：曝長(zhǎng)江存儲(chǔ)欲直接量產(chǎn)232層閃存

國(guó)產(chǎn)芯片領(lǐng)域中，存儲(chǔ)芯片的表現(xiàn)和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前有消息稱(chēng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片大廠已經(jīng)完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)，并在今年年底前會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。而目前有消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。這意味著，如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)232層閃存芯片，我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。而目前三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)越過(guò)192層，直接生產(chǎn)232層，將到達(dá)一線水平。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)官宣：擁有7%全球市場(chǎng)份額

相信大家都知道，我國(guó)在芯片領(lǐng)域一直都存在很大的技術(shù)短板，無(wú)論是在PC芯片、手機(jī)芯片，還是在閃存芯片等領(lǐng)域，目前國(guó)內(nèi)科技企業(yè)都絕大部分依賴(lài)于進(jìn)口，就連前一段時(shí)間韓國(guó)方面也正式對(duì)外公布了《2020年韓國(guó)半導(dǎo)體出口金額》數(shù)據(jù)報(bào)告，其中明確提到韓國(guó)半導(dǎo)體出口金額高達(dá)992億美元，并且其中有超過(guò)50%+半導(dǎo)體產(chǎn)品是被銷(xiāo)往中國(guó)市場(chǎng)，而這些產(chǎn)品主要有內(nèi)存、閃存、OLED屏幕等，確實(shí)我們?cè)谶@些產(chǎn)品領(lǐng)域，整體國(guó)產(chǎn)化程度還非常的低，這些產(chǎn)品主要也被韓系廠商所壟斷，例如三星、LG、SK海力士等等，在AMOLED屏幕領(lǐng)域，幾乎壟
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹

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資訊 | 陳南翔將出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)

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