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英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

作者: 時(shí)間:2017-03-21 來(lái)源:英特爾 收藏

  晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國(guó)設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng),且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201703/345497.htm

  擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn)

  臺(tái)媒引述指出,臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向,主因是南科高雄園區(qū)路竹基地,環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無(wú)法配合臺(tái)積電需求,加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳,也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。

  臺(tái)積電表示,南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外,持續(xù)觀察,選地尚未決定。至于電力問(wèn)題,臺(tái)積電重申,考慮設(shè)廠地點(diǎn),水、電、土地、人才,都非常重要。

  臺(tái)積電今年下半年隨著旺季來(lái)臨,供應(yīng)鏈回補(bǔ)庫(kù)存,加上蘋果iPhone 8處理器A11量產(chǎn)出貨,10納米出貨放量,營(yíng)運(yùn)將可快速?gòu)椛?。臺(tái)積電預(yù)期,今年晶圓出貨量將可較去年再成長(zhǎng)1成,營(yíng)收也將成長(zhǎng)5%至10%,將續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。

英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

  臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山

  在先進(jìn)制程進(jìn)展,臺(tái)積電第1代7納米生產(chǎn)256Mb SRAM良率已達(dá)76%,預(yù)計(jì)明年2018年量產(chǎn),預(yù)期今年將有12個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tapeuot),量產(chǎn)的第1年將有近20個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。

  臺(tái)積電5納米預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn),除沖刺先進(jìn)制程技術(shù)外,臺(tái)積電并計(jì)劃推出12納米與22納米制程。

  臺(tái)積電今天最新回應(yīng)表示,公司還在評(píng)估3納米制程會(huì)在哪個(gè)地點(diǎn)落腳,相關(guān)評(píng)估作業(yè)會(huì)持續(xù)到明年上半年,因此目前到明年上半年還有數(shù)個(gè)月,不會(huì)這么快做這么重大的決定。至于會(huì)不會(huì)在美國(guó)進(jìn)一步投資,還言之過(guò)早,因?yàn)橐矫髂晟习肽瓴艜?huì)做決定。

  70億美元蓋42廠,臺(tái)積電:我跟

  美國(guó)白宮科技參謀單位1月提交給總統(tǒng)的陳述——《保證美國(guó)半導(dǎo)體長(zhǎng)時(shí)間領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢(shì)》。這份32頁(yè)陳述,主要表達(dá)對(duì)美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)被中國(guó)超越的擔(dān)憂,編撰小組成員星光熠熠,包括前執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧(Paul Otellini)、高通董事會(huì)執(zhí)行主席雅各布(Paul Jacobs)、使用材料前董事長(zhǎng)史賓林特(Michael Splinter)等。

  為了Made in USA優(yōu)先,特朗普?qǐng)F(tuán)隊(duì)支撐限制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。此前的2月8日,執(zhí)行官科再奇到白宮與美國(guó)總統(tǒng)特朗普會(huì)面,隨后宣告,將在美國(guó)亞利桑那州出資超過(guò)70億美元蓋廠,估計(jì)三年后量產(chǎn)7納米芯片,新增3000個(gè)高薪作業(yè)機(jī)會(huì)。早在2012年,其時(shí)的美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬就曾拜訪這個(gè)興建中的42廠,并稱譽(yù)英特爾是“制作回流”的模范,但該建廠工程卻在兩年后踩剎車,直到如今才重起爐灶。

英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

 

  位于美國(guó)亞利桑那州的英特爾42廠,被賦予要確保美國(guó)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者地位的重責(zé)大任

  美國(guó)政府可能改進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體制作業(yè)的商業(yè)環(huán)境,讓蘋果等美國(guó)大客戶請(qǐng)求臺(tái)積電到美國(guó)設(shè)廠,或許轉(zhuǎn)單給英特爾。臺(tái)積電客戶一半來(lái)自美國(guó),但是在美國(guó)只有一家小型制造廠WaferTech,雇傭有約1500名員工,而臺(tái)積電在臺(tái)灣地區(qū)雇傭有逾4萬(wàn)名員工。此外,美國(guó)花旗銀行投資并擁有臺(tái)積電上市公司的大部分股權(quán),股東會(huì)可能將促成這一決案。

  不過(guò),臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀有表示過(guò),他不排除在美國(guó)建新芯片工廠的可能性,但在美國(guó)生產(chǎn)芯片,包括蘋果、高通和英偉達(dá)在內(nèi)的美國(guó)客戶利益會(huì)受損。“如果我們失去這一優(yōu)勢(shì),客戶利益也將因此受損”,臺(tái)積電不時(shí)就會(huì)考慮在美國(guó)建廠,但沒(méi)有發(fā)現(xiàn)這么做的好處。

英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

 

  盡管在美生產(chǎn)將有諸多缺點(diǎn),當(dāng)張忠謀被問(wèn)到臺(tái)積電到美國(guó)蓋新廠的可能性時(shí),仍首次說(shuō)出“不排除!”

  張忠謀稱,臺(tái)積電芯片代工市場(chǎng)份額達(dá)到55%的原因,不是因?yàn)閯趧?dòng)力成本低,而是因?yàn)樵谥袊?guó)臺(tái)灣地區(qū)建立了半導(dǎo)體供應(yīng)商生態(tài)鏈。臺(tái)積電的基礎(chǔ)設(shè)施,使得公司數(shù)千名工程師能在很短時(shí)間內(nèi)從一家制造工廠趕到另外一家制造工廠。這一便利條件使得臺(tái)積電能提高生產(chǎn)效率,快速解決問(wèn)題,以保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

  臺(tái)積電在中國(guó)大陸的投資動(dòng)作不大,臺(tái)積電去年宣布,已與南京市政府簽署協(xié)議,將投資30億美元(約合人民幣195億元)在南京建立一座12英寸晶圓工廠及一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心,主要工藝為28納米和40納米落后工藝,未來(lái)將引入16納米先進(jìn)工藝。



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