新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 手機實現(xiàn)512GB容量不是夢:72層3D NAND閃存問世

手機實現(xiàn)512GB容量不是夢:72層3D NAND閃存問世

作者: 時間:2017-04-11 來源:太平洋電腦網(wǎng) 收藏

  隨著APP體積不斷擴大,以及照片、視頻等文件逐漸累積,消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番,最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率,但是256GB就夠了嗎?

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201704/346455.htm

    

 

  日前,(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D 閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB),閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。

    

 

  相比上代48層堆疊的方案,72層閃存將單元數(shù)量提升了1.5倍、生產(chǎn)效率提高30%。由于引入高速電路設(shè)計,72層閃存的內(nèi)部運行速度比48層NAND提高了2倍,讀寫性能增加20%。

    

 

  在去年4月推出36層128Gb NAND閃存,去年11月批量生產(chǎn)48層256Gb NAND閃存。預(yù)計72層256Gb NAND閃存將于今年下半年大規(guī)模量產(chǎn),用以滿足固態(tài)硬盤和智能手機市場的需求。不妨猜一猜,哪款手機能夠率先突破512GB容量呢?



關(guān)鍵詞: 海力士 NAND

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉