新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星宣布10nm制程新進(jìn)展:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

三星宣布10nm制程新進(jìn)展:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

作者: 時(shí)間:2017-04-21 來源:myDrivers 收藏

  今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201704/358263.htm
1492660377887052047.png

  按照的說法,此前的采用的是LPE(low-power early),比如驍龍835和Exynos 8895,而第二代是LPP(Low Power Plus),事實(shí)上更加先進(jìn),可以滿足更高的性能指標(biāo)要求。

三星宣布10nm制程新進(jìn)展:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

  據(jù)悉,已經(jīng)在位于韓國(guó)華城的S3產(chǎn)線部署安裝相關(guān)設(shè)備,定于Q4開始量產(chǎn)工作。

  另外,此前韓國(guó)巨頭還表示,它們10nm的內(nèi)部研發(fā)進(jìn)度已經(jīng)到了第三代LPU。

  我們有理由相信,驍龍835的小改款(例如從820到821)也許會(huì)在今年Q4發(fā)布,工藝升級(jí)到10nm LPP,主頻極值有望更高。



關(guān)鍵詞: 三星 10nm

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉