傳梁孟松加盟中芯國(guó)際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國(guó)際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國(guó)際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來(lái)自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)。

　　之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無(wú)論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來(lái)看，他都堪稱(chēng)元老。在臺(tái)積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年來(lái)一名重要的貢獻(xiàn)者”。

　　如果梁孟松加盟，無(wú)疑將會(huì)是更大的一次海嘯。因?yàn)樗麕缀鯀⑴c了臺(tái)積電每一代制程技術(shù)的研發(fā)工作，不僅是臺(tái)積電近五百個(gè)專(zhuān)利的發(fā)明人，也是“新制程設(shè)備遴選委員會(huì)”的一員。從對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝掌握的廣度與深度，以及從研發(fā)到制造整合的熟悉度來(lái)講，公司無(wú)人能出其右。

　　圖 │蔣尚義

　　但就是這樣一位“大?！奔?jí)的人物卻被眾多臺(tái)灣媒體稱(chēng)為“叛將”，甚至被戲稱(chēng)為業(yè)界“呂布”。2009年，梁孟松離開(kāi)臺(tái)積電，前往韓國(guó)與三星集團(tuán)關(guān)系密切的成均館大學(xué)任教，臺(tái)積電認(rèn)為其涉嫌泄漏營(yíng)業(yè)機(jī)密給三星，遂提出訴訟，2015年，臺(tái)積電獲勝，法院判定禁止梁孟松在三星工作。這是臺(tái)灣地區(qū)司法首次判定企業(yè)高層在競(jìng)業(yè)禁止結(jié)束后仍不能到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司工作。

　　圖 │梁孟松

　　當(dāng)時(shí)臺(tái)積電法務(wù)長(zhǎng)方淑華說(shuō)，“他(梁孟松)去三星，就算不主動(dòng)泄漏臺(tái)積電機(jī)密，只要三星選擇技術(shù)方向時(shí)，他提醒一下，這個(gè)方向你們不用走了，他們就可以少花很多物力、時(shí)間?！庇纱丝梢?jiàn)梁孟松的特殊性和重要地位。

　　不過(guò)說(shuō)來(lái)也巧，臺(tái)積電之所以能夠勝訴竟也是偶然之事。只是因?yàn)?nbsp;2009 年時(shí)，胡正明的太太給丈夫籌備生日，當(dāng)發(fā)郵件給學(xué)生梁孟松時(shí)，竟被人發(fā)現(xiàn)郵箱后綴竟是“msliang@samsung.com”。也正是因?yàn)檫@封電郵成為臺(tái)積電強(qiáng)有力的證據(jù)，證明了梁孟松在競(jìng)業(yè)禁止期結(jié)束前便在三星工作的事實(shí)。

　　那從此來(lái)看，此次梁孟松加盟中芯應(yīng)該也是早有準(zhǔn)備。而于理分析，梁孟松轉(zhuǎn)向大陸應(yīng)該也是在情理之中。隨著大陸成為全球最大的芯片采購(gòu)市場(chǎng)，政府也在努力推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的發(fā)展，其中，中芯國(guó)際被寄予厚望。

　　圖 │中芯國(guó)際LOGO

　　作為大陸最大的半導(dǎo)體代工廠，中芯國(guó)際擁有最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，在工藝研發(fā)方面一直努力追趕臺(tái)積電。臺(tái)積電目前也已經(jīng)在大陸投資設(shè)廠，可以說(shuō)，中芯國(guó)際的頭號(hào)對(duì)手就是臺(tái)積電。

　　梁孟松先前在任職三星電子期間，全力投入研發(fā)14納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)，讓臺(tái)積電16納米先進(jìn)制程初嘗敗績(jī)，亦使得三星重新分食蘋(píng)果A9處理器芯片訂單。雖然，各方對(duì)梁孟松在這次競(jìng)爭(zhēng)究竟貢獻(xiàn)了多少說(shuō)法不一，但三星的 FinFET 制程技術(shù)確實(shí)在短短數(shù)年間突飛猛進(jìn)，甚至超越臺(tái)積電。

　　“當(dāng)初臺(tái)積電如果不讓他走，今天就不會(huì)這么慘了”，一位與臺(tái)積電主管熟識(shí)的半導(dǎo)體學(xué)者曾經(jīng)這樣感嘆。

　　圖 │蘋(píng)果A9芯片分為三星及臺(tái)積電版本

　　半導(dǎo)體戰(zhàn)場(chǎng)上利器——FinFET

　　那么，F(xiàn)inFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)戰(zhàn)場(chǎng)為何頻頻彌漫硝煙?這還得從電晶體本身說(shuō)起。

　　事實(shí)上，作為現(xiàn)代所有電器的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)元件，大規(guī)模量產(chǎn)的電晶體被視為電子工業(yè)領(lǐng)域最為偉大的一項(xiàng)發(fā)明創(chuàng)造。它是利用電訊號(hào)來(lái)控制電流的通斷，且開(kāi)關(guān)速度非常之快。

　　而現(xiàn)在大部分如智能手機(jī)之類(lèi)的電子設(shè)備所使用的都是新式電晶體架構(gòu)——FinFET，諸如蘋(píng)果、三星和臺(tái)積電等廠商都已經(jīng)將更小尺寸的FinFET 制程納入研發(fā)，10納米的技術(shù)門(mén)檻即將跨越。

　　但是在過(guò)去的數(shù)十年，一直被熱捧的電晶體結(jié)構(gòu)反而是大家比較熟悉的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS。

　　MOS的工作原理很簡(jiǎn)單，電子從源極流入，經(jīng)過(guò)閘極下方的電子通道，由汲極流出，中間的閘極則起到開(kāi)關(guān)的作用，決定電子是否可以通過(guò)。當(dāng)閘極不加電壓，電子不能通過(guò)，代表 0;當(dāng)閘極加正電壓，電子可以通過(guò)，代表 1。

　　這就與計(jì)算機(jī)上0與1的二進(jìn)制原理相符，也就意味著每一個(gè)MOS都相當(dāng)于一個(gè)比特(bit)，晶圓上的幾十億個(gè)MOS就相當(dāng)于幾十億個(gè)比特，只要用導(dǎo)線(xiàn)將這幾十億個(gè) MOS連接起來(lái)，電子訊號(hào)就可以在0與1之間流通運(yùn)算并得出最終的結(jié)果，這也就是計(jì)算機(jī)的基本工作原理。