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“攪局者”帶領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入“芯”未知階段

作者: 時(shí)間:2017-07-19 來(lái)源:求是緣半導(dǎo)體 收藏

  據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月13日?qǐng)?bào)道,世界的市場(chǎng)此前一直以美韓日廠商唱主角,現(xiàn)在中國(guó)企業(yè)正試圖參與進(jìn)來(lái),而中國(guó)企業(yè)的巨額投資很有可能成為市場(chǎng)混亂的風(fēng)險(xiǎn)因素。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201707/361883.htm

  在全球股市上,相關(guān)股正在成為熱點(diǎn)。美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(SOX)在1100點(diǎn)左右,這是2000年IT泡沫以來(lái)的高水平。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在步入一個(gè)未知的階段,其中一個(gè)要素就是中國(guó)。

  矛頭指向中國(guó)有失公允

  眾所周知,無(wú)論日經(jīng)中文,或是西方的有些論點(diǎn)把矛頭指向中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是不公平的。任何國(guó)家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略,而中國(guó)要發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)是歷來(lái)已久,每年進(jìn)口芯片金額在千億美元數(shù)量級(jí),而自主生產(chǎn)才近10%,因此要改變不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事。

  客觀地說(shuō),此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的突破與之前大不同,它是首先抓住發(fā)展產(chǎn)業(yè)的命脈資金問(wèn)題。盡管“大基金”是國(guó)家基金,但是它釆用入股企業(yè)的方法,并要求投資取得回報(bào),與國(guó)際上通用的作法是一致的,僅是數(shù)量上及時(shí)間點(diǎn)讓全球業(yè)界感覺(jué)“來(lái)勢(shì)洶洶”而己。即便如此與全球領(lǐng)先者如三星,臺(tái)積電等相比也是相形見(jiàn)拙,更何況它僅是一個(gè)計(jì)劃,未來(lái)真的能投入多少?以及在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)能投得進(jìn)去?尚需要觀察。

  市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與攪局者

  只要是公平的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),有“攪局者”不一定是件“壞事”。它改變現(xiàn)狀,推動(dòng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),在新的態(tài)勢(shì)下達(dá)到新的平衡,是產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的表現(xiàn)。

  觀察近期全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中,“攪局者”并不少見(jiàn),是必然的趨勢(shì)。如全球代工中,三星是異軍突起,也可看作是一家“攪局者”。它揚(yáng)言今年它的代工營(yíng)收要超過(guò)居第二位的格羅方德,并要與代工老大臺(tái)積電有一心比拼,顯見(jiàn)三星要改變?nèi)虼さ母?jìng)爭(zhēng)格局。

  在全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)中,在今年的Semicon West中ASML重申它的EUV光刻機(jī)將很快步入實(shí)用化,在兩年內(nèi)光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平。目前己在全球共安裝了14臺(tái),客戶(hù)包括英特爾,三星,臺(tái)積電及格羅方德,未來(lái)尚有21臺(tái)等待發(fā)貨,其中英特爾是大戶(hù)。

  眾所周知,從全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中先進(jìn)工藝制程競(jìng)賽一直是個(gè)“熱點(diǎn)”,臺(tái)積電,三星,英特爾,甚至格羅方德都聲言可能走在前列,誰(shuí)也不干落后。目前采用浸液式光刻方法己可達(dá)7納米,將于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但是要使用三次或者四次圖形曝光工藝,它大大增加產(chǎn)品的周期與成本。如果改用EUV光刻工藝,將有效的簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),并與三次或者四次圖形曝光工藝相比較,從成本方面可能節(jié)省。因此EUV光刻工藝的導(dǎo)入,在全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中是一次質(zhì)的飛躍,是延伸“定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名,并對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。所以EUV光刻設(shè)備的導(dǎo)入也可看作是一個(gè)“攪局者”,而且是一個(gè)強(qiáng)有力的“攪局者”。

  因此對(duì)于“誰(shuí)是攪局者”不能有“雙重標(biāo)準(zhǔn)”,應(yīng)該一視同仁,從根本上它們可能都是推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)的進(jìn)步。

  中國(guó)廠商加入行列

  歷史上在半導(dǎo)體業(yè)中,凡是打“翻身仗”都是從下手,己經(jīng)實(shí)現(xiàn)過(guò)兩次,一次是日本超過(guò)美國(guó),及另一次是韓國(guó)超過(guò)日本。如今此次是中國(guó)半導(dǎo)體準(zhǔn)備崛起,它的目的不一樣,也不可能有任何超越韓國(guó)老大的想法。

  此次中國(guó)存儲(chǔ)器的突破,主要是為了自用,目的是提高芯片的國(guó)產(chǎn)化率。據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2016年全球存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額超過(guò)800億美元,而中國(guó)的市場(chǎng)大約消耗其中的25%以上。為此中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)為了減少進(jìn)口,增加國(guó)產(chǎn)化率,目前有三股力量,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥睿力及福建晉華,分別聚焦不同的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。就目前的進(jìn)度,三家都處在建廠及技術(shù)與人才準(zhǔn)備階段,實(shí)際上離開(kāi)量產(chǎn)尚有一段距離,可能尚不能言及最終成功。

  近20年以來(lái),只看見(jiàn)有退出存儲(chǔ)器業(yè)的,如德國(guó)的奇夢(mèng)達(dá),以及美光兼并日本的爾必達(dá),全球未見(jiàn)有任一新加入者,反映它的入門(mén)檻高,競(jìng)爭(zhēng)太激烈。所以此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要突破存儲(chǔ)器引起全球業(yè)界的警覺(jué)是合乎情理的,但是也要客觀與公正,不應(yīng)該扼殺中國(guó)半導(dǎo)體的自主需求。

  在全球存儲(chǔ)器業(yè)中,可能相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)更為激烈,一方面是DRAM繼續(xù)向1x納米進(jìn)軍,從縮小尺寸角度,15納米可能是極限。三星肯定走在最前面,目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬(wàn)片(12 inch WPM)。而另一方面在2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)移中,三星、美光、東芝、西數(shù)、海力士等都揚(yáng)言近期要開(kāi)始64層3D NAND的量產(chǎn)出貨,并全力向96層3D NAND挺進(jìn)。

  而中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一個(gè)“新進(jìn)者”,它僅是可能于2018年出貨32層3D NAND,離開(kāi)三星等的差距至少2代以上。

  分析天時(shí),地利與人和在中國(guó)似乎都具備了一定的條件,但是在存儲(chǔ)器芯片制造的突破時(shí)必須十分清醒,僅擁有大的市場(chǎng)與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功,它需要有專(zhuān)業(yè)人材的配合及詳情的專(zhuān)利應(yīng)對(duì)策略,并要有一股氣勢(shì)與勇氣,關(guān)鍵是能把制造成本降下來(lái),需要加強(qiáng)芯片生產(chǎn)線(xiàn)的嚴(yán)格管理。

  至此對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的突破,外界幾乎都并不看好。然而在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行大轉(zhuǎn)移的時(shí)刻,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)主要為了自用,勇于加入,希望能得到一個(gè)公平競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)。而且現(xiàn)階段盡管中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)有三股力量在集結(jié),但是從理性分析,在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線(xiàn)仍處在產(chǎn)能爬坡階段,它們的銷(xiāo)售額都不會(huì)太高。

  全球存儲(chǔ)器業(yè)總是周期性的起伏,只有堅(jiān)持到底,不懼怕暫時(shí)的虧損,才有可能成功。盡管Gartner按以往的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了預(yù)測(cè),認(rèn)為2019年時(shí)存儲(chǔ)器業(yè)可能進(jìn)入下降周期。顯然中國(guó)的存儲(chǔ)器不可能趕上2019年之前的榮景,把希望寄于在下一波存儲(chǔ)器的上升周期中能有令人滿(mǎn)意的表現(xiàn)。

  中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在存儲(chǔ)器中的突破,首先是為了滿(mǎn)足自用需求,與三星等先進(jìn)廠商之間尚有很大的差距,也沒(méi)有實(shí)力來(lái)挑戰(zhàn)臺(tái)積電,三星及英特爾等巨頭。但是由于中國(guó)的加入,全球存儲(chǔ)器業(yè)中后幾位的排名可能會(huì)發(fā)生改變。

  中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須十分淸醒,一定要循序前進(jìn),尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán),與全球存儲(chǔ)器業(yè)者開(kāi)展公平的競(jìng)爭(zhēng),爭(zhēng)取做一名受同仁尊敬的“攪局者”。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器

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