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SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術提升

作者: 時間:2017-07-25 來源:DIGITIMES 收藏

  以往半導體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本,但制程愈趨于先進,研發(fā)難度提高,投資規(guī)模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變,(SK Hynix)期盼借由技術創(chuàng)新開拓全球市場。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201707/362140.htm

  據(jù)韓媒每日經(jīng)濟報導,計劃在2017年下半提高10納米級生產(chǎn)比例,并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量,以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力,提高事業(yè)獲利性。

  將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術競爭力。

  資通訊技術發(fā)達帶動存儲器需求成長,移動裝置用及NAND Flash產(chǎn)品的容量持續(xù)增加,用于大數(shù)據(jù)及云端資料中心的服務器、固態(tài)硬碟(SSD)需求激增,人工智能(AI)、深度學習(Deep Learning)的技術發(fā)展更是帶動存儲器需求擴大的市場利基。

  2017年1月SK海力士推出LPDDR4X,是全球最高容量的超低功耗移動裝置DRAM;4月開發(fā)出超高速繪圖DRAM Graphics DDR6(GDDR6),可作為AI、虛擬實境(VR)、自駕車、4K以上高像素顯示器的存儲器解決方案。

  在NAND Flash部分,2017年SK海力士成功開發(fā)72層3D NAND Flash之后,已在7月啟動量產(chǎn),比原本48層產(chǎn)品生產(chǎn)力提高30%,芯片內(nèi)部運作速度提高兩倍,讀寫性能提高20%,并且推出搭載自主研發(fā)控制器的移動裝置用eMMC產(chǎn)品及PCI介面固態(tài)硬碟,以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解決方案強化事業(yè)競爭力。

  SK海力士為了取得控制器技術,2012年購并美國Link A Media Devices與義大利Ideaflash S.r.l.,2013年購并臺廠銀燦科技控制器事業(yè)部,2014年購并Softeq Development FLLC。2012年在韓國京畿道盆唐成立Flash解決方案設計中心,2013年在韓國科學技術院(KAIST)校園內(nèi)成立儲存媒體解決方案中心。

  在相關投資方面,2016年SK海力士執(zhí)行6.29兆韓元(約56億美元)投資計劃,2017年投資規(guī)模上看7兆韓元,并且計劃在2019年6月底前投資2.2兆韓元于清州興建NAND Flash工廠。研發(fā)經(jīng)費投入2016年為2.10兆韓元,占營收12.2%。

  SK海力士表示,在變化多端的半導體市場與競爭結(jié)構中,唯有透過大膽進行研發(fā)投資加強技術競爭力,才能維持市場領導地位。



關鍵詞: SK海力士 DRAM

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