臺媒:大陸DRAM突破技術障礙還得靠臺灣

　　據(jù)臺灣經濟日報報道，大陸積極發(fā)展內存產業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。

　　大陸的內存產業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動司法調查，緊盯三大廠竊取專利和營業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來將朝自主研發(fā)前進。

　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技術，生產利基型DRAM，團隊由瑞晶、美光臺灣前總經理，現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經理陳正坤領軍，同時出任福建晉華總經理。

　　據(jù)了解，聯(lián)電為福建晉華在南科建立小型試產線，一度也遭美光司法調查暫停，但不久后又恢復運作，初期將導入32nm，最終目標要切入25nm以下制程。

　　不過，業(yè)界透露，在美光強力透過美臺和大陸三地司法調查，大陸DRAM廠商遭遇相當大的瓶頸，難有突破，未來即使突破，也恐怕會遭遇美光、三星等大廠排山倒海的侵權訴訟。

　　內存業(yè)界分析，大陸在DRAM遭遇技術重重阻力，反讓臺廠包括南亞科及華邦電等，成為大陸廠商爭相包產能的主要對象，原因包括聯(lián)想、華為、OPPO、VIVO，甚至海爾、TCL等計算機、手機和家電大廠，產品都營銷全球，多會尊重知識產權，不會貿然導入有侵權疑慮的大陸產內存。

　　業(yè)界估計，在三星、SK海力士及美光都不愿轉換技術下，至少五年內，大陸DRAM廠都難以突破技術防線，而大陸傾全國力量發(fā)展內存，發(fā)展DRAM又勢在必行，在時間和技術取得的雙重壓力下，臺廠反而成為可以取得技術授權的管道，未來戰(zhàn)略地位值得重視。

　　目前臺灣DRAM廠商南亞科目前在林口有二座12吋廠，其中3A廠30nm制程產品，有90%都是在美光科技技術基礎上自行研發(fā)設計;全新的3An廠，今年導入20nm制程后，5月取得客戶驗證，提前在今年第2季量產，目前良率相當好，預定今年底單月投片量達3萬片。