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三星砸54億美元、7納米提前建廠

作者: 時(shí)間:2017-08-22 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏

  電子決定提前興建南韓華城的18號(hào)線,提高競(jìng)爭(zhēng)力搶單。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201708/363310.htm

  韓媒BusinessKorea 19日?qǐng)?bào)導(dǎo),華城廠的18號(hào)線原定明年動(dòng)工,如今決定提前至今年11月破土。18號(hào)線的建筑面積為40,536平方公尺,總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元),預(yù)定2019年下半完工,生產(chǎn)存儲(chǔ)器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

  華城廠為綜合晶圓廠,生產(chǎn)DRAM、3D NAND flash、系統(tǒng)半導(dǎo)體等。18線將裝設(shè)數(shù)十臺(tái)先進(jìn)晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)。三星提前施工,顯示該公司有意強(qiáng)化晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)力。三星今年把晶圓代工部門(mén)獨(dú)立出來(lái),大舉投資,并放話搶市。

  路透社7月25日?qǐng)?bào)導(dǎo),南韓三星電子副社長(zhǎng)、擔(dān)任5月份新設(shè)立的晶圓代工事業(yè)部負(fù)責(zé)人的E.S. Jung 24日接受專(zhuān)訪時(shí)表示,除了大型企業(yè)之外、也將搶攻中小型客戶(hù),目標(biāo)在5年以?xún)?nèi)將晶圓代工市場(chǎng)份額擴(kuò)增至現(xiàn)行的3倍、提高至25%的水準(zhǔn)。Jung指出,“希望能成為晶圓代工市場(chǎng)上強(qiáng)大的第2把交椅”。

  BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),三星晶圓代工共有三個(gè)廠區(qū),S1廠在南韓器興(Giheung)、S2廠在美國(guó)德州奧斯汀、S3在南韓華城(Hwaseong)。S3預(yù)定今年底啟用,將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。

  去年底數(shù)據(jù)顯示,全球晶圓代工龍頭是臺(tái)積電、聯(lián)電排名第二、美國(guó)格羅方德(Global Foundry)名列第三、三星電子雖是小四,但是正急起直追。IHS Market數(shù)據(jù)顯示,2016年三星晶圓代工營(yíng)收為45.18億美元,較2015年大增78.6%。

  韓媒The Investor 6月27日?qǐng)?bào)導(dǎo),6月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠,該廠房負(fù)責(zé)制造用于移動(dòng)設(shè)備的系統(tǒng)單芯片(SoC)等。PhoneArena消息顯示,奧斯汀廠是蘋(píng)果A系列處理器的重要生產(chǎn)基地。

  三星同時(shí)公布了晶圓代工的發(fā)展路徑,當(dāng)前主力為第二代10納米FinFET,今年準(zhǔn)備進(jìn)一步研發(fā)8納米,2018年進(jìn)入,2020年轉(zhuǎn)入4納米。據(jù)傳三星將跳級(jí)研發(fā)6納米制程,預(yù)定2019年量產(chǎn)。

  半導(dǎo)體業(yè)界透露,三星提前動(dòng)土,也要用最先進(jìn)的設(shè)備,切入7nm以下制程,全力搶食邏輯芯片代工訂單,而且目標(biāo)直指臺(tái)積電大客戶(hù)蘋(píng)果的下世代A12處理器。

  消息指出,三星可能挾掌握全球超過(guò)九成以上OLED面板產(chǎn)能的優(yōu)勢(shì),逼迫蘋(píng)果調(diào)整代工策略,將A12部分訂單交給三星,但這部分未獲三星高層證實(shí)。 三星將晶圓代工成立事業(yè)部后,曾宣示要在五年內(nèi)將晶圓代工市占率擴(kuò)增至現(xiàn)行的三倍,提高至25%的水平。

  產(chǎn)業(yè)分析師指出,目前臺(tái)積電7nm制程至少已有12個(gè)移動(dòng)設(shè)備產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案,還有從三星搶回來(lái)的高通訂單,在7nm戰(zhàn)役至少還領(lǐng)先三星一至二年以上。

  臺(tái)積電為回?fù)羧窃?nm全數(shù)導(dǎo)入極紫外光(EUV)作為曝光利器,也決定在7nm強(qiáng)化版提供EUV解決方案,鞏固客戶(hù)。 這項(xiàng)制程并訂2019年下半年量產(chǎn),和三星進(jìn)度相近。

  此外,臺(tái)積電在5nm制程將全數(shù)導(dǎo)入EUV,目前5nm生產(chǎn)重鎮(zhèn)規(guī)劃在南科,相關(guān)建廠作業(yè)已經(jīng)展開(kāi),預(yù)定2020年量產(chǎn)。

  臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀曾說(shuō)過(guò),對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾與三星,一直列為雷達(dá)上的勁敵。 因此,內(nèi)部高度警戒,絕不讓三星有任何見(jiàn)縫插針的機(jī)會(huì),尤其防止機(jī)密外泄比以前更嚴(yán)密。

  



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