默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

　　隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時(shí)，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來(lái)越困難，耗用的時(shí)間也越來(lái)越長(zhǎng)，成本也越走越高。這使得半導(dǎo)體也必須從材料端與封裝端來(lái)打破制程技術(shù)的限制，并達(dá)到技術(shù)上的突破。也由于臺(tái)灣的半導(dǎo)體實(shí)力在全世界有目共睹，這使得默克決定在臺(tái)灣高雄成立其亞洲地區(qū)集成電路材料應(yīng)用研究與開(kāi)發(fā)中心。

　　默克研發(fā)中心的重點(diǎn)領(lǐng)域，包括用于薄膜制程的CVD/ALD材料，和用于后段封裝連接和黏晶的導(dǎo)電膠。默克對(duì)此研發(fā)中心的投資超過(guò)280萬(wàn)歐元(約1億新臺(tái)幣)，此研發(fā)中心同時(shí)與默克全球的研發(fā)部門(mén)全面整合，以協(xié)助臺(tái)灣本地和亞洲的客戶(hù)開(kāi)發(fā)集成電路先進(jìn)制程。

　　目前默克在其亞洲區(qū)集成電路材料應(yīng)用研發(fā)中心設(shè)有兩個(gè)獨(dú)立的實(shí)驗(yàn)室，一個(gè)致力于前段原子層沉積(ALD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)的材料與制程開(kāi)發(fā)，另一個(gè)則側(cè)重于IC封裝應(yīng)用。ALD/CVD實(shí)驗(yàn)室旨在順應(yīng)新興的半導(dǎo)體趨勢(shì)，為本地及亞洲區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)發(fā)薄膜前驅(qū)物材料，并與客戶(hù)協(xié)作共同解決下一代先進(jìn)制程的相關(guān)挑戰(zhàn)。

　　IC封裝實(shí)驗(yàn)室將針對(duì)其燒結(jié)型導(dǎo)電(conductivesinteringpaste)材料與地區(qū)內(nèi)的客戶(hù)建立合作關(guān)系，協(xié)助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)封裝制程中電子基板、組件和系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的電極連接和熱管理效能。本產(chǎn)品具有無(wú)鉛性能、界面電阻低、導(dǎo)熱性高等特性，適用于先進(jìn)IC應(yīng)用制程技術(shù)材料，為半導(dǎo)體膠連接市場(chǎng)確立最佳方案。這些獨(dú)特的性能將進(jìn)一步縮小IC封裝的尺寸，提高效率并保護(hù)環(huán)境。半導(dǎo)體封裝實(shí)驗(yàn)室將為臺(tái)灣地區(qū)和鄰近的亞洲國(guó)家客戶(hù)提供服務(wù)，包括東南亞、韓國(guó)、日本和中國(guó)大陸。

　　成立ALD/CVD材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)室將促進(jìn)默克與臺(tái)灣半導(dǎo)體客戶(hù)之間更緊密的合作，以先進(jìn)技術(shù)及設(shè)備縮短材料開(kāi)發(fā)時(shí)間約70%，協(xié)助客戶(hù)更快開(kāi)發(fā)新制程及新產(chǎn)品。

　　默克全球IC材料事業(yè)處資深副總裁RicoWiedenbruch(溫瑞克)表示，默克新成立的研發(fā)中心提供從制程前段到后段最先進(jìn)的應(yīng)用、產(chǎn)品和技術(shù)組合。擁有在地研發(fā)能力可以增進(jìn)默克與客戶(hù)間的溝通效率，實(shí)時(shí)響應(yīng)客戶(hù)問(wèn)題，同時(shí)縮短運(yùn)送實(shí)驗(yàn)晶圓試片的時(shí)間，達(dá)到加快研發(fā)時(shí)程的效益。臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的有力地位以及與其他關(guān)鍵地區(qū)相鄰的位置，使其成為該新研發(fā)中心的理想地點(diǎn)。

　　至于針對(duì)半導(dǎo)體制程技術(shù)走到了物理極限的這個(gè)問(wèn)題，溫瑞克認(rèn)為，透過(guò)3D芯片結(jié)構(gòu)來(lái)改變半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)，是用來(lái)解決摩爾定律逼近物理極限之后，制程微縮越來(lái)越困難的最佳解答。而3D芯片最重要的就是封裝技術(shù)，這也正是默克亞洲研發(fā)中心所著重研發(fā)的重點(diǎn)項(xiàng)目。