三星宣布11nm新工藝：7nm全面上極紫外光刻

　　Intel雖然一再強調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標稱10nm，自己要比三星、臺積電的領先整整一代，但是沒辦法，人家的腳步要快得多。

　　今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。

　　三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。

　　三星于2016年10月投產(chǎn)10LPE(10nm Low Power Early)，并已準備好即將投產(chǎn)10LPP(10nm Low Power Plus)，主要為智能手機制造芯片，14nm工藝則針對主流、低功耗和緊湊型芯片。

　　下一步，三星還會增加14LPU、10LPU版本。

　　11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白，號稱可在同等晶體管數(shù)量和功耗下比14LPP工藝提升15%的性能，或者降低10%的功耗，另外晶體管密度也有所提高。

　　三星計劃2018年上半年投產(chǎn)11LPP工藝。

　　未來，三星還一路準備了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝，其中7nm 7LPP版本會全面融合EUV極紫外光刻，確認2018年下半年試產(chǎn)。

　　另有報道稱，在那之前的明年上半年，三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。

　　三星表示，2014年以來，已經(jīng)使用EUV技術處理了接近20萬塊晶圓，取得了豐碩成果，比如256Mb SRAM的良品率達到了80%。