三星GF英特爾競(jìng)爭(zhēng)海思7nm第二供應(yīng)商

　　海思半導(dǎo)體在臺(tái)積電16nm、10nm兩個(gè)制程世代一戰(zhàn)成名后，全力挺進(jìn)7nm制程，據(jù)傳海思7nm第二供貨商 三星、GF、英特爾競(jìng)搶分食，不過(guò)第一供應(yīng)商非臺(tái)積電莫屬，之前海思已經(jīng)與三星簽署過(guò)晶圓代工協(xié)議。不過(guò)最終結(jié)果三家公司誰(shuí)能成為海思的第二供應(yīng)商尚未有結(jié)論。

　　高通正努力研發(fā)新一代驍龍855移動(dòng)平臺(tái)，將由臺(tái)積電以7納米制程代工生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年上市。此外iPhone下世代的A12訂單，臺(tái)積電以7nm結(jié)合InFO全拿訂單也勝券在握。

　　臺(tái)積電 7nm制程將于明年量產(chǎn)，業(yè)界預(yù)期，臺(tái)積電可望持續(xù)獨(dú)吃蘋(píng)果 A12 處理器訂單，此外NVIDIA與高通供貨比重將可提高，并可望受惠系統(tǒng)廠自行開(kāi)發(fā)人工智能芯片。

　　前不久三星電子宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認(rèn)未來(lái)7nm工藝將上EUV極紫外光刻。