內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲器芯片景氣或觸頂
加入技術(shù)交流群
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉(zhuǎn)，下行風險隨之升高;在此同時，2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201711/372220.htm三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領跌。
截至北京時間27日12時41分為止，三星電子下跌4.18%，報2,657,000韓元;開盤迄今最低跌至2,650,000韓元，創(chuàng)10月27日以來新低。SK Hynix下跌2.35%，報83,100韓元;開盤迄今最低跌至82,000韓元，創(chuàng)11月20日以來新低。
美國存儲器大廠美光科技(Micron Technology Inc.)11月24日上漲1.10%，收49.68美元，創(chuàng)2000年9月27日以來收盤新高;今年迄今大漲126.64%。
英特爾、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint存儲器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲器。美光將在12月19日公布2018會計年度第一季財報。新聞稿顯示，美光的存儲器與儲存解決方案協(xié)助推動人工智能(AI)、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。
大摩認為內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來，并將三星電子、臺積電和西部數(shù)據(jù)等半導體硬盤龍頭企業(yè)均遭下調(diào)至“觀望”評級，全球最大的工業(yè)寬溫閃存供應商群聯(lián)電子遭下調(diào)至“看跌”評級，目標股價較市價縮水12%。受行業(yè)龍頭三星重挫影響，A股芯片概念股今日也領跌大盤，A股半導體板塊72家企業(yè)中有64家下跌，板塊平均收跌4.28%，截止收盤韋爾股份、匯頂科技、景嘉微、國科微均跌停。
評論