比內(nèi)存快1000倍，中國投資130億元量產(chǎn)相變內(nèi)存

　　全球的內(nèi)存市場主要被三星、SK Hynix和美光三家公司壟斷，他們?nèi)壹悠饋淼姆蓊~高達95%，中國要想在內(nèi)存市場突破封鎖并不容易，盡管有紫光、長鑫、兆易創(chuàng)新等公司投身存儲芯片市場，但在現(xiàn)有的DDR內(nèi)存技術(shù)上，中國公司技術(shù)、產(chǎn)能還差得遠呢。此外，內(nèi)存也不止傳統(tǒng)的DDR技術(shù)，還有很多新興領(lǐng)域正在發(fā)展，比如PCM相變存儲，相比傳統(tǒng)內(nèi)存它的優(yōu)勢很多，比如速度快了1000倍，耐用性也是傳統(tǒng)內(nèi)存的1000倍，江蘇淮安市時代芯存公司投資130億元建設(shè)了國內(nèi)最大的相變存儲基地，上周已經(jīng)開始正式運營，預計年產(chǎn)值45億元。

　　來自中國江蘇網(wǎng)的消息稱，3月22日淮安市集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進暨江蘇時代芯存半導體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式在淮安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)順利舉行，此舉標志著130億元投資的相變存儲項目開始進入運營階段。這個項目去年11月份完成了廠房封頂，并完成了設(shè)備采購，從開工到封頂不到9個月時間，今年3月底開始運營。

　　根據(jù)之前的消息，江蘇淮安的這個項目總投資130億元，一期投資43億元，建成后將年產(chǎn)10萬片12英寸PCM相變存儲芯片。相變存儲芯片被成為21世紀的存儲芯片標準，與傳統(tǒng)存儲芯片(比如內(nèi)存)相比，它是一種非易失性存儲芯片，但是速度達到了傳統(tǒng)存儲芯片的1000倍，同時可靠性是后者的1000倍——當然這些指標都是理論上的，目前量產(chǎn)的PCM存儲芯片并沒有這么強，Intel的3D XPoint閃存據(jù)說就是一種PCM存儲芯片，只不過一直沒有被證實，而它宣傳的特點就是性能是閃存的1000倍，可靠性也是閃存的1000倍，同時容量密度是閃存的10倍。