英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機(jī)

近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實(shí)環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機(jī)構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動(dòng)車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。

電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)著重在高功率密度以及高轉(zhuǎn)換效率，可進(jìn)一步縮小轉(zhuǎn)換器的重量與體積，提高能源的利用率。目前電源技術(shù)拓?fù)浼軜?gòu)發(fā)展已經(jīng)趨于成熟，不同的功率都有與其相適應(yīng)的轉(zhuǎn)換器架構(gòu)，如果想要進(jìn)一步提升效率，重點(diǎn)在于新的功率元件材料的使用。功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步也為電路創(chuàng)新提供契機(jī)，新的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不斷創(chuàng)新，傳統(tǒng)簡單的拓?fù)涞靡灾厣?/p>

為了滿足上述趨勢需求，近年來像碳化硅和氮化鎵這樣的寬能隙材料應(yīng)運(yùn)而生且被成功地商品化。作為一家創(chuàng)新公司，英飛凌致力于不斷的推出全新的產(chǎn)品，如最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)化效率達(dá)到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

英飛凌碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域產(chǎn)品

英飛凌持續(xù)關(guān)注基于復(fù)合半導(dǎo)體的新技術(shù)，擴(kuò)展碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域的產(chǎn)品。

從碳化硅誕生以來，英飛凌在市場上一直是這個(gè)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。2017財(cái)年，我們在碳化硅MOSFET產(chǎn)品方面實(shí)現(xiàn)首次營收，這一關(guān)鍵技術(shù)的突破性進(jìn)展為持續(xù)成功奠定基礎(chǔ)。2017年我們推出了分立器件和模塊。分立器件就是TO-247的三管腳、四管腳封裝。模塊包括EasyB系列和62毫米封裝系列，分別都可以用在太陽能，傳動(dòng)UPS和電源應(yīng)用上。首先，1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅(jiān)固耐用性，失效率很低，這得益于門級氧化層的可靠性。第二，實(shí)現(xiàn)業(yè)界碳化硅器件導(dǎo)通、開關(guān)損耗最低，溫升最低，效率最高。第三，我們SiC器件卓越的可靠性。這是由于其具備較低的失效率（FIT）和有效的短路能力，可適應(yīng)不同的應(yīng)用挑戰(zhàn)。得益于4 V的閾值電壓（V th）和+15 V的推薦接通閾值（V GS），可以像驅(qū)動(dòng)IGBT一樣驅(qū)動(dòng)英飛凌的SiC MOSEFT，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉。這就是說，用戶不需要專門再設(shè)計(jì)特別的驅(qū)動(dòng)電力，這樣就大大提高了碳化硅產(chǎn)品普及的速度。

如前面提到的，英飛凌最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)化效率達(dá)到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

展望未來，英飛凌將繼續(xù)專注于關(guān)鍵的增長市場，堅(jiān)持創(chuàng)新，并借助于在碳化硅和氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的不斷突破，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品在諸如電動(dòng)汽車、可再生能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的成功應(yīng)用。