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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

  • 第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。圖片來源：信越化學從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
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三星加碼氮化鎵功率半導體

  • 根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導體代工服務?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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拆解報告：HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018

  • 前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當多，除了隨機附送的充電器外，這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品，其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類，功率也有66W、88W、100W可選?？梢哉f光是這個系列的產(chǎn)品，就相當琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品，這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外，還額外擁有一個獨立的USB-C接口，這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設(shè)備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進行詳細拆解，一起來
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拆解報告：HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65

  • 前言HP惠普是知名的國際電腦品牌，平時大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器，雖說大品牌的產(chǎn)品在用料規(guī)格和做工方面沒得說，但終歸不便攜。而隨著快充的普及，近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個主流USB接口，不僅支持最大65W快充，還支持45W+20W等輸出策略，此外這款充電器還支持國內(nèi)新興的UFCS融合快充，可以說完全是一款針對國內(nèi)市場推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進行拆解，看看做工用料如何?；萜?5W氮化鎵快充充電器開箱包
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氮化鎵外延廠瑞典企業(yè)SweGaN宣布已開始出貨

  • 8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應用。資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計廠商，正式轉(zhuǎn)型為一家半導體制造商。合作方面，今年上半年，SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，使其訂單量翻了一番，達到1700萬瑞典克朗（折合人民幣約115
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀元

  • 近年來，隨著科技的不斷進步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

  • 氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關(guān)頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過實現(xiàn)極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統(tǒng)性
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永銘電子：創(chuàng)新驅(qū)動，聚焦新能源與人工智能的未來

  • 在2024年7月11日的慕尼黑電子展上，EEPW采訪了上海永銘電子股份有限公司（以下簡稱“永銘電子”）。其以23年的深厚技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點。作為一家集研發(fā)、制造、銷售于一體的電容器企業(yè)，永銘電子在新能源汽車電子、光伏逆變器、風力發(fā)電、5G通訊、IDC服務器、算力服務器以及人工智能等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了其技術(shù)實力和市場競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺永銘電子自2001年成立以來，一直致力于電容器的研發(fā)與創(chuàng)新。公司目前擁有十個事業(yè)部，專注于新能源汽車電子、光伏逆變器、風力發(fā)電、5G通訊、服
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西電廣研團隊攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

  • 7月12日消息，近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進展。研發(fā)成果6英寸增強型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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革新GaN IPM技術(shù)：引領(lǐng)高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)進入新時代

  • 在當今能效需求日益增長的時代背景下，家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時，他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計挑戰(zhàn)在于，如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下，設(shè)計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計師們不斷創(chuàng)新，以實現(xiàn)能效與實用性的完美結(jié)合?；谝陨媳尘?，德州儀器（TI）再次走在行業(yè)前沿，通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發(fā)布
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德州儀器推出先進的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
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漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝

  • 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計帶來了機會

  • 氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應用，隨后成為藍光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應晶體管 (FET) 上實現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導體行業(yè)增長最快的細分市場之一，復合年增長率估計在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動力來自對能效更高設(shè)備的需求，以期實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設(shè)計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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氮化鎵介紹

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