首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進行中，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定

  • 今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領域頭條，因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
  • 關鍵字： 氮化鎵  英飛凌  

英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
  • 關鍵字： 英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵  

Transphorm最新技術白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

  • 氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的全球領先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現(xiàn)常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
  • 關鍵字： Transphorm  常閉耗盡型  D-Mode  增強型  E-Mode  氮化鎵  

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
  • 關鍵字： 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

AI時代的數(shù)據(jù)中心成吃電巨獸，氮化鎵會是能效救星嗎？

  • 數(shù)位經(jīng)濟正經(jīng)歷一場由兩大趨勢驅(qū)動的巨大變革，即時數(shù)據(jù)分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智能（Generative AI）的快速發(fā)展。一場激烈的生成式AI競賽正如火如荼的進行中，科技巨頭如亞馬遜（Amazon)、谷歌（Google)、微軟（Microsoft）皆大舉投資生成式AI的研發(fā)創(chuàng)新。根據(jù)彭博智庫（Bloomberg Intelligence）預測，生成式AI市場將以42%的年增率成長，從2022年400億美元市值，于10年內(nèi)擴大至1.3兆美元。在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對電力與運算的
  • 關鍵字： AI  數(shù)據(jù)中心  氮化鎵  

氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量，并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗，成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數(shù)據(jù)中心在10年內(nèi)節(jié)省多達700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
  • 關鍵字： 氮化鎵  圖騰柱  PFC  電源設計  

GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

  • 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
  • 關鍵字： GaN Systems  氮化鎵  

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

  • 如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個主要因素導致其效率下降（在簡化模型中）：一個是串聯(lián)電阻，稱為 RDS（ON），另一個是并聯(lián)電容器稱為 C
  • 關鍵字： 氮化鎵  晶體管  

GaN Systems 與上海安世博能源科技結盟 推進氮化鎵進入中國電動車應用市場

  • 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現(xiàn)下世代電動車對尺寸微縮、輕
  • 關鍵字： GaN Systems  安世博  氮化鎵  電動車  

意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

  • 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
  • 關鍵字： 意法半導體  PowerGaN  氮化鎵  GaN  

集成一顆“大腦”的ST-ONEHP數(shù)字控制器

  • 日前，在MWC上海2023上意法半導體為我們帶來了各個領域的產(chǎn)品及應用，在眼花繚亂的展品中，這次我們重點來講講這個“小東西”——ST-ONEHP數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？對于高功率充電器和適配器我們早已不陌生，ST-ONEHP的內(nèi)部集成了多顆控制芯片，包括初級的PWM控制器，次級的同步整流控制器以及USB-PD協(xié)議芯片，在其次級集成了一顆ARM Cortex M0+的芯片，因此得名數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？第一，在控制上面，研發(fā)工程師在使用芯片的時候，可以通過電腦的UI直接操控這個芯片，開
  • 關鍵字： 意法半導體  ST  數(shù)字控制器  適配器  氮化鎵  

現(xiàn)代戰(zhàn)術無線電需要氮化鎵

  • 戰(zhàn)術通信技術已經(jīng)走了很長一段路，從在現(xiàn)場鋪設電纜到在傳達命令時保持態(tài)勢感知。在這個以網(wǎng)絡為中心的沖突時代，IT基礎設施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場邊緣的移動指揮所。戰(zhàn)術通信技術已經(jīng)走了很長一段路，從在現(xiàn)場鋪設電纜到在傳達命令時保持態(tài)勢感知。在這個以網(wǎng)絡為中心的沖突時代，IT基礎設施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場邊緣的移動指揮所。軍事現(xiàn)代化繼續(xù)無情地進行。軍費開支的增加正在推動陸地、空中和海上平臺采購先進的無線通信系統(tǒng)。全球戰(zhàn)術通信市場將在16-2019年期間以2025%的復合年增長率（CAGR）增長，達到18.53億美元。1提高移
  • 關鍵字： 氮化鎵  無線電  

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術相比，這些應用可受益于1
  • 關鍵字： Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)  

EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
  • 關鍵字： 宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN  
共171條 4/12 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

氮化鎵介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條氮化鎵!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對氮化鎵的理解，并與今后在此搜索氮化鎵的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

氮化鎵    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473