首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

用集成驅動器優(yōu)化GaN性能

  • 將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
  • 關鍵字： 氮化鎵  TI  集成驅動器  

讓我們一起實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行

  • 我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場
  • 關鍵字： 氮化鎵  可靠運行  

碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產業(yè)迎來大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業(yè)的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

氮化鎵（GaN）技術推動電源管理不斷革新

  • 　　Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術官　　我們可以想象一下：當你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅動比目前應用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋?！　‰娮釉O備的未來取決于電源管理創(chuàng)新?！　』蛘咴O想一下：每個簡單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒?，F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗?！　「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
  • 關鍵字： 氮化鎵  德州儀器  

英飛凌：功率半導體技術進步為電路創(chuàng)新提供契機

  • 近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實環(huán)境下，各國政府以及相關機構也相應制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發(fā)揮出最佳性能。
  • 關鍵字： 英飛凌，電源轉換器技術，氮化鎵  

氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。 　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  

用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
  • 關鍵字： mosfet  氮化鎵  pfc  

氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產業(yè)鏈

  • 　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內專家直言，電力電子產業(yè)即將迎來技術的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領半導體技術革命的呼聲越來越高。 　　有望于手機快充、5G市場起飛 　　當下，氮化鎵的主要應用市場是手機快充、電源產業(yè)。近年來手機快充技術不斷發(fā)展，已成為智能手機標配，而促進其普及的重要推手便是氮化
  • 關鍵字： 氮化鎵  5G  

我國第三代半導體發(fā)展路線圖漸明晰

  • 　　6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導體產業(yè)力爭全產業(yè)鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產化率超過70%……第三代半導體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。 　　第二屆國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內容征集參
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  

5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價看漲

  • 　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發(fā)展主力。 　　絡達科技技術長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數(shù)量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
  • 關鍵字： 氮化鎵  

氮化鎵發(fā)展評估

  • 本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發(fā)展的廣闊市場。
  • 關鍵字： 氮化鎵  砷化鎵  LDMOS  201701  

日本設立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進程

  • 　　據(jù)報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。 　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發(fā)進程。 　　天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
  • 關鍵字： 氮化鎵  功率器件  

氮化鎵（GaN）晶體管設備越薄越冷

  • 　　伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產生過多的熱量，這會限制他們的性能。 　　基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 　　采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。
  • 關鍵字： 氮化鎵  晶體管  

氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
  • 關鍵字： 氮化鎵  碳化硅  
共171條 10/12 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 »

氮化鎵介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條氮化鎵!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對氮化鎵的理解，并與今后在此搜索氮化鎵的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

氮化鎵    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473