韓國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)家史：政府推動 三星“死磕”

　　2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)締造了一項新紀(jì)錄。

　　國際研究機構(gòu)Gartner研究總監(jiān)George Brocklehurst表示，這項記錄便是三星將英特爾擠下全球半導(dǎo)體營收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來連續(xù)25年“全球第一大廠”的名頭就此讓位。Gartner最新的統(tǒng)計結(jié)果顯示，2017年全球半導(dǎo)體營收總計4204億美元，較2016年的3459億美元增長21.6%。

　　此外，根據(jù)IC Isights等機構(gòu)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，從營收來看，全球前三大半導(dǎo)體公司中韓國占據(jù)兩席，三星、SK海力士分別位居一、三名。三星、SK海力士在2017年營收大增，主要和芯片短缺造成的價格走高有關(guān)。

　　自20世紀(jì)80年代三星建立半導(dǎo)體研究與開發(fā)實驗室起至今，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可謂“勵志”。

　　不到40年的時光中，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之林的巨擘，離不開密集的技術(shù)援助、政府的強力保護以及企業(yè)的“死磕”。

　　沉淀：“政府+大財團”的模式

　　韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以技術(shù)引入起步，經(jīng)過20年左右的沉淀，在芯片設(shè)計與加工技術(shù)等領(lǐng)域完成了自身技術(shù)積累。

　　1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生產(chǎn)出韓國的第一臺真空管收音機，這也被認(rèn)為是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起源。但當(dāng)時的韓國并沒有自主生產(chǎn)能力，只能對進口元器件進行組裝。

　　20世紀(jì)60年代中期開始仙童半導(dǎo)體(Fairchild)和摩托羅拉(Motorola)等美國公司越來越多地投資于東南亞等低價勞動力國家，以降低其生產(chǎn)成本，韓國從這一趨勢中獲益，但僅停留在經(jīng)濟層面。

　　OECD(經(jīng)合組織)在一份報告中指出，對于這些美國投資者的子公司而言，韓國只是“飛地”，對于韓國的技術(shù)進步未起到任何作用，“他們只是專門從事簡單的晶體管和ICs的組裝，用于出口，所需的材料和生產(chǎn)設(shè)備都是進口的”。

　　到了20世紀(jì)70年代，三洋(Sanyo)和東芝(Toshiba)等日本公司半導(dǎo)體公司也開始在韓國投資。但直到20世紀(jì)80年代初，韓國的半導(dǎo)體工業(yè)仍然非常局限，只是一個簡單的、勞力密集的組裝節(jié)點。

　　隨著20世紀(jì)70年代外部世界市場環(huán)境變化以及韓國工資水平的提高，韓國輕工業(yè)產(chǎn)品出口比率大幅下降，外債也上升到危險的水平，韓國經(jīng)濟受到威脅。

　　為此，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進計劃”(HCI促進計劃)，旨在通過重工業(yè)和化學(xué)工業(yè)發(fā)展來建立一個自給自足的經(jīng)濟。1975年，韓國政府公布了扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，強調(diào)實現(xiàn)電子配件及半導(dǎo)體生產(chǎn)的本土化。

　　韓國政府還組織“官民一體”的DRAM共同開發(fā)項目，即通過政府的投資來發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)。

　　在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的過程中，韓國政府推進“政府+大財團”的經(jīng)濟發(fā)展模式，并推動“資金+技術(shù)+人才”的高效融合。在此過程中，韓國政府還將大型的航空、鋼鐵等巨頭企業(yè)私有化，分配給大財團，并向大財團提供被稱為“特惠”的措施。

　　《經(jīng)濟學(xué)人》在1995年的文章中評論稱，20世紀(jì)80年代韓國工業(yè)的發(fā)展得益于HCI促進計劃，由于如此龐大的資源集中于少數(shù)財團，他們可以迅速進入資本密集型的DRAMs生產(chǎn)，并最終克服生產(chǎn)初期巨大的財務(wù)損失。

　　超越：三星的崛起

　　1983年是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史轉(zhuǎn)折點。

　　韓國財團的進入讓半導(dǎo)體行業(yè)進入大規(guī)模集成(VLSI)生產(chǎn)時代，這些包括三星、金星社以及現(xiàn)代公司(后改名為海力士半導(dǎo)體，并被SK集團收購)等企業(yè)。這實現(xiàn)了韓國工業(yè)的質(zhì)變——從簡單的裝配生產(chǎn)到精密的晶片加工生產(chǎn)。

　　20世紀(jì)80年代，三星和現(xiàn)代的財團都在尋找未來的商業(yè)領(lǐng)域，最終他們的目標(biāo)是，從工業(yè)基地轉(zhuǎn)型為更具高科技導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)。當(dāng)三星決定通過其電子業(yè)務(wù)進入大規(guī)模集成芯片生產(chǎn)時，現(xiàn)代決定將芯片生產(chǎn)作為實現(xiàn)其向電子產(chǎn)業(yè)多樣化的一個途徑。而隨后金星社的加入，讓韓國最大的三家財團均參與進VLSI生產(chǎn)。

　　三星發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一部濃縮的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史。

　　前三星集團首席執(zhí)行官李秉哲(Lee Byung Chul)在1983年2月決定對內(nèi)存芯片生產(chǎn)進行大規(guī)模投資。這被認(rèn)為是一個非常大膽的決定。因為當(dāng)時韓國仍是一個簡單的裝配生產(chǎn)基地，1983年，整個半導(dǎo)體生產(chǎn)中晶圓加工的份額也僅為4.3%。

　　根據(jù)三星的官方策略解釋，三星電子公司當(dāng)時遭遇了日本進口芯片的頻繁交付問題。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進入VLSI芯片業(yè)務(wù)。

　　三星制定了一個詳細(xì)的計劃，根據(jù)這個計劃，三星全部半導(dǎo)體產(chǎn)品中大約50%應(yīng)該是DRAM。通過對精心挑選的DRAM領(lǐng)域關(guān)注，實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟和成本的競爭力。

　　其后，SST國際公司在硅谷成立，成為三星的技術(shù)前哨。SST國際公司(與Tristar半導(dǎo)體公司同年更名)為三星的產(chǎn)品開發(fā)做出了重大貢獻，SST國際公司成功開發(fā)的產(chǎn)品會轉(zhuǎn)讓給韓國的母公司SST，用于批量生產(chǎn)，這對三星的技術(shù)開發(fā)起到了至關(guān)重要的作用。

　　1983年，三星在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠，并開始了接下來的一系列動作。三星電子首先向當(dāng)時遇到資金問題的美光(47.58, 0.96, 2.06%)(Micron)公司購買64K DRAM技術(shù)，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外，三星還取得了夏普“互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝”的許可協(xié)議。

　　在此過程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進式工藝創(chuàng)新，加上這些公司逆向工程方面的長期經(jīng)驗，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入了發(fā)展的快車道。

　　在選擇DRAM作為主要產(chǎn)品后不久，三星于1983年11月成功研發(fā)了64K DRAM。從技術(shù)上講，韓國半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)了從相對簡單的LSI技術(shù)到尖端的VLSI技術(shù)的重大飛躍。由此，1983年標(biāo)志著韓國VLSI芯片時代的開始。不可否認(rèn)的是，在最初階段，外國技術(shù)許可在三星產(chǎn)品開發(fā)中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

　　隨后，三星電子1984年成立了一家現(xiàn)代化的芯片工廠，用于批量生產(chǎn)64K DRAM。1984年秋季首次將其出口到美國。1985年成功開發(fā)了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術(shù)”的許可協(xié)議。

　　此后三星在DRAM上不斷投入，韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所[KIST，由韓國科學(xué)和技術(shù)部(MOST)管理]牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學(xué)，“官產(chǎn)學(xué)”一起對4M DRAM進行技術(shù)攻關(guān)。該項目持續(xù)三年，研發(fā)費用達1.1億美元，韓國政府便承擔(dān)了57%。隨后韓國政府還推動了16M / 64M DRAM的合作開發(fā)項目。

　　1983年至1987年間實施的“半導(dǎo)體工業(yè)振興計劃”中，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款，并激發(fā)了20億美元的私人投資，這大力促進了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　在1987年，世界半導(dǎo)體市場還出現(xiàn)另一個機會，這源自美國和日本之間的半導(dǎo)體貿(mào)易沖突以及隨后的政治調(diào)控。1985年以后，日本DRAM生產(chǎn)商市場份額的增加，被認(rèn)為是犧牲了美國生產(chǎn)商的利益，美日之間的貿(mào)易沖突日益加劇。

　　日本首先宣布對外國半導(dǎo)體生產(chǎn)商實施半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)定(STA)，美國政府則于1987年3月宣布了對含日本芯片的日本產(chǎn)品征收反傾銷稅等報復(fù)措施。

　　最終，日本承諾通過減少DRAM產(chǎn)量來提高芯片價格。但當(dāng)時美國計算機行業(yè)需求增長，導(dǎo)致全球市場上256K DRAM的嚴(yán)重短缺。這為韓國256K DRAM生產(chǎn)商提供了重要的“機會之窗”。

　　此后韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM芯片設(shè)計時，研發(fā)速度比日本晚6個月，隨后三星又趁著日本經(jīng)濟泡沫破裂，東芝、NEC等巨頭大幅降低半導(dǎo)體投資時機，加大投資，引進日本技術(shù)人員。并于1992年開發(fā)出世界第一個64M DRAM，超過日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

　　賭徒：逆周期投資

　　超越日本成為世界第一大DRAM制造商只是三星帶領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向世界第一梯隊的第一步。

　　1995年之后，三星多次發(fā)起“反周期定律”價格戰(zhàn)，使得DRAM領(lǐng)域多數(shù)廠商走向破產(chǎn)，并逐漸形成DRAM領(lǐng)域只有幾家壟斷市場的現(xiàn)狀。

　　集邦咨詢拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每年需投入大量資本支出，用于設(shè)備與技術(shù)的開發(fā)。三星是綜合公司型態(tài)，即使存儲器市場低迷，仍可透過其他事業(yè)部門注入資金。這讓三星逐步成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)巨擘。

　　比如，三星于1984年推出64K DRAM時，全球半導(dǎo)體業(yè)步入一個低潮，內(nèi)存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當(dāng)時的生產(chǎn)成本是每片1.3美元，這意味著每賣出一片內(nèi)存三星便虧1美元。

　　在低潮期，英特爾退出DRAM行業(yè)，NEC等日企大幅削減資本開支，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼，逆周期投資，繼續(xù)擴大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM。

　　到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空。但轉(zhuǎn)機卻瞬間來到，1987年，日美半導(dǎo)體協(xié)議的簽署使得DRAM內(nèi)存價格回升，三星也為全球半導(dǎo)體市場的需求補缺，開始盈利，從逆勢中挺了過去。

　　在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼時日立、NEC、三菱的內(nèi)存部門不堪重負(fù)，被母公司剝離，加上東芝宣布自2002年7月起不再生產(chǎn)通用DRAM，日本DRAM僅剩下爾必達一家。

　　再如，2007年初，因全球DRAM需求過剩，疊加2008年金融危機，DRAM顆粒價格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻將2007年公司總利潤118%用于DRAM擴產(chǎn)，使得DRAM價格接連跌破現(xiàn)金成本和材料成本。

　　在這樣的攻勢下，德國廠商奇夢達于2009年初宣布破產(chǎn)，日本廠商爾必達于2012年初宣布破產(chǎn)，三星市占率進一步提升，全球DRAM領(lǐng)域巨頭只剩下三星、海力士和美光。

　　這場價格戰(zhàn)的影響仍在持續(xù)，DRAM從2016年下半年到2018年一季度，一直處于穩(wěn)定缺貨漲價期中，在此過程中，三星芯片業(yè)務(wù)銷售額達690億美元，成為全球最大的芯片制造商。

　　中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟秘書長王艷輝在5月3日接受21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者采訪時表示，在品牌發(fā)展不順的時候，三星等韓國的企業(yè)并未想到要轉(zhuǎn)去做代工，而是繼續(xù)投入，這是韓國能夠出現(xiàn)三星、海力士等全球領(lǐng)先芯片品牌的原因。

　　如何保持第一梯隊優(yōu)勢

　　王艷輝指出，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移開端，在政府主導(dǎo)下，發(fā)展出自有品牌。

　　在韓國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的過程中，韓國政府對于產(chǎn)業(yè)的支持力度非常強，研發(fā)時大力投入，產(chǎn)出后進行保護。

　　從1990年開始，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資興起。從研發(fā)投入來看，1980年時半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)投入約為850萬美元，到1994年時為9億美元。專利技術(shù)也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。

　　1994年，韓國推出了《半導(dǎo)體芯片保護法》。此后，韓國政府還指定芯片產(chǎn)業(yè)及技術(shù)為影響國家競爭力的核心技術(shù)，致力于高度保障技術(shù)及產(chǎn)權(quán)。

　　龐大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也發(fā)展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)和半導(dǎo)體材料企業(yè)層層分工，通過外包、代工的方式構(gòu)建出的龐大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，形成了龍仁、化成、利川等等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)城市群，支撐著韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

　　在韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一梯隊后，韓國仍希望保持其自身的優(yōu)勢，不僅通過“BK21”及“BK21+”等計劃對大學(xué)、專業(yè)或研究所進行精準(zhǔn)、專項支援。還在2016年時推出半導(dǎo)體希望基金，投資于半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，旨在聚焦新技術(shù)的開發(fā)，尤其是儲存新技術(shù)方面。

　　這一系列的政策也基本延續(xù)“政府+大財團”的產(chǎn)業(yè)政策，鼓勵企業(yè)及大學(xué)間的結(jié)合，為芯片產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)人才，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢。