中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開(kāi)始
編者按:外界普遍認(rèn)為,中國(guó)存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能,全球內(nèi)存閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
對(duì)于關(guān)注國(guó)產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶(hù)來(lái)說(shuō),從明年開(kāi)始將會(huì)有實(shí)質(zhì)性的成果,因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲(chǔ)都將量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱(chēng),2019年,中國(guó)大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備的第一個(gè)訂單是,生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡,訂單規(guī)模為一萬(wàn)套32層3D NAND閃存芯片。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201807/389473.htm在新產(chǎn)品方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在研發(fā)64層的3D NAND閃存,計(jì)劃在2018年年底前推出樣品。
跟長(zhǎng)江存儲(chǔ)不同的是,晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說(shuō)前者已經(jīng)開(kāi)始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn),而后者預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)19nm技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片。
評(píng)論