Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證

　　業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開(kāi)發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品。

　　隨著半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對(duì)EUV光罩無(wú)缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已經(jīng)過(guò)ASML的全面認(rèn)證，可用于他們的最新一代光刻機(jī)，并展現(xiàn)了出色的EUV光罩保護(hù)性能，包括解決最關(guān)鍵的微粒污染挑戰(zhàn)。Entegris的EUV 1010也因此讓客戶能夠安全地過(guò)渡到最先進(jìn)的光刻工藝所需的越來(lái)越小的線寬。

　　為了在NXE:3400B光刻機(jī)中實(shí)現(xiàn)上述性能，Entegris開(kāi)發(fā)了用于接觸光罩和控制環(huán)境的新技術(shù)。Entegris晶圓和光罩處理副總裁Paul Magoon表示：“Entegris EUV 1010代表了缺陷率改進(jìn)方面的重大突破，得益于此，先進(jìn)技術(shù)制程HVM的客戶可以專(zhuān)注于提高效率和產(chǎn)量。與ASML的共同開(kāi)發(fā)和測(cè)試確保了EUV 1010符合最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)的要求?！?/p>