關(guān) 閉

新聞中心

EEPW首頁 > 工控自動化 > 新品快遞 > 支持功率因數(shù)校正和反激拓撲的新型950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

支持功率因數(shù)校正和反激拓撲的新型950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

作者: 時間:2018-08-28 來源:英飛凌 收藏

2018827日,德國慕尼黑訊——更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設(shè)計要求:用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種解決方案能實現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率,減少用料并降低總生產(chǎn)成本。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201808/391264.htm

950 VCoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導通電阻,能實現(xiàn)更高密度的設(shè)計。此外,出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅(qū)動和設(shè)計。與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的P7系列其他成員類似的是,該器件集成齊納二極管ESD保護機制。這可以提高裝配生產(chǎn)量,從而降低成本,并減少與ESD有關(guān)的生產(chǎn)問題。

950 VCoolMOS P7能使效率提升達1%,并且MOSFET溫度得以降低2 ?C10 ?C,實現(xiàn)更高能效的設(shè)計。相比前幾代CoolMOS系列而言,該器件還將開關(guān)損耗降低達58%。較之市場上的競爭技術(shù),這方面的性能提升超過50%

950 VCoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAKSOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件(THD)變?yōu)楸砻尜N裝器件(SMD)。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來。2017財年(截止930日),公司的銷售額達71億歐元,在全球范圍內(nèi)擁有約37,500名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自199510月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約2000名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。




評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉