“摩爾定律”的延續(xù) 英特爾將開發(fā)出3D堆疊技術

　　半個世紀前，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出“摩爾定律”(Moore's Law)，從這以后，芯片廠商們多遵從這一定律生產芯片。而近年來，“摩爾定律”被其他廠商唱衰，本該是芯片“鼻祖”的英特爾也在技術上漸漸落后于競爭對手。在此次的架構日，英特爾展示了他們的眾多下一代技術和已經做出的創(chuàng)新，其中就包括業(yè)界首個3D堆疊邏輯芯片。

　　據媒體報道，12月11日，英特爾召開架構溝通會。會上，英特爾向參會者介紹了其基于10nm的PC、數據中心和網絡系統(tǒng)，并分享了其在處理器、架構、存儲、互連、安全和軟件等六個工程領域的技術戰(zhàn)略。其中，熱度最高的莫過于新開發(fā)的首個3D封裝架構“Foveros”，它可以說是英特爾面對其他從業(yè)者質疑“摩爾定律”的最好回應。

　　近年來多次出現(xiàn)“摩爾芯片唱衰論”。用很小的體積做到高性能，是現(xiàn)在芯片技術的主要方向，但是又要小，又要做到性能高，廠商們若再運用“摩爾定律”制造芯片，無疑難度很大。如今制作芯片的困難主要來自于材料上，當芯片制程達到10nm時，柵氧化層的厚度變薄，會產生諸多量子效應，晶體管很容易漏電。當其他廠商接連研制出10nm、7nm制程的芯片時，一直使用“摩爾定律”的英特爾反而把本該在今年7月份就宣布發(fā)布的10nm制程工藝推遲到了明年年末。

　　而此次推出的Foveros技術則是對“摩爾定律”的延續(xù)。英特爾表示，F(xiàn)overos可以做到將計算電路堆疊，并快速地將它們連接到一起，從而將更多的計算電路組裝到單個芯片上，實現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。

　　2019年下半年，英特爾將開始使用Foveros推出一系列產品，其首款產品將結合高性能10nm計算堆疊小芯片和低功耗22FFL基礎芯片。

　　英特爾芯片架構主管拉賈·科杜里(Raja Kosuri)表示，他們在這20年里，一直研究這項技術。堆疊以前曾在內存芯片中使用，但英特爾是第一家將該技術應用到所謂的“邏輯”芯片中的公司。

　　“落后”的英特爾，這次要走在前面了。