三星半導(dǎo)體：下半年會(huì)量產(chǎn)7nm EUV工藝 3nm最早2021年投入量產(chǎn)
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在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5/4/3nm工藝技術(shù)。根據(jù)Tom's Hardware今天的新聞，根據(jù)三星高管所說，他們今年下半年會(huì)量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年則會(huì)量產(chǎn)更先進(jìn)的3nm GAA工藝。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201901/396734.htm
此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產(chǎn)7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gate all around fet)工藝。然而，一些業(yè)內(nèi)人士，包括加納副總裁王國榮(Samuel Wang)對(duì)Gaafet芯片能否在2022年投產(chǎn)表示懷疑。
盡管臺(tái)積電和格羅方德Global Foundries在EUV芯片開發(fā)方面并沒有落后，但三星也有自己的優(yōu)勢(shì)。三星公司內(nèi)部開發(fā)了自己的EUV掩膜檢測(cè)工具，但尚未開發(fā)出類似的商業(yè)工具。
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