三星半導體：下半年會量產7nm EUV工藝 3nm最早2021年投入量產

　　在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5/4/3nm工藝技術。根據Tom's Hardware今天的新聞，根據三星高管所說，他們今年下半年會量產7nm EUV工藝，2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。

　　此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場效應晶體管(gate all around fet)工藝。然而，一些業(yè)內人士，包括加納副總裁王國榮(Samuel Wang)對Gaafet芯片能否在2022年投產表示懷疑。

　　盡管臺積電和格羅方德Global Foundries在EUV芯片開發(fā)方面并沒有落后，但三星也有自己的優(yōu)勢。三星公司內部開發(fā)了自己的EUV掩膜檢測工具，但尚未開發(fā)出類似的商業(yè)工具。