安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

　　2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機(jī)、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

　　這標(biāo)志著安森美半導(dǎo)體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補(bǔ)器件，以及重要設(shè)計資源如器件仿真工具、SPICE模型和應(yīng)用信息，以幫助設(shè)計和系統(tǒng)工程師應(yīng)對高頻電路的開發(fā)挑戰(zhàn)。

　　安森美半導(dǎo)體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強(qiáng)固的，符合現(xiàn)代高頻設(shè)計的需求。它們結(jié)合高功率密度及高能效的工作優(yōu)勢，由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。這些特性使需要的熱管理更少，進(jìn)一步減少物料單(BoM)成本、尺寸和重量。

　　新器件的關(guān)鍵特性和相關(guān)設(shè)計優(yōu)勢包括領(lǐng)先同類的低漏電流、具低反向恢復(fù)電荷的快速本征二極管，從而大大降低功耗，支持更高頻率工作和更高功率密度，低導(dǎo)通損耗(Eon)及關(guān)斷損耗(Eoff) / 快速導(dǎo)通及關(guān)斷結(jié)合低正向電壓降低總功耗，因此減少散熱要求。低電容支持以很高頻率開關(guān)的能力，減少惱人的電磁干擾(EMI)問題;同時，更高浪涌、雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)增強(qiáng)整體強(qiáng)固性，提高可靠性和延長總預(yù)期使用壽命。

　　安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。符合AEC-Q101的MOSFET及其它SiC器件，確保可充分用于因日增的電子含量和電動動力總成而興起的越來越多的車載應(yīng)用。175℃的最高工作溫度適合汽車設(shè)計，以及高密度和空間限制推高典型環(huán)境溫度的其他目標(biāo)應(yīng)用。

　　安森美半導(dǎo)體電源方案部功率MOSFET分部副總裁兼總經(jīng)理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的總體增強(qiáng)說：“最重要的應(yīng)用和當(dāng)前的大趨勢越來越要求超越常規(guī)硅器件的全方面性能。安森美半導(dǎo)體全面的SiC產(chǎn)品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強(qiáng)，并由含一系列工具和資源的生態(tài)系統(tǒng)支持，說明我們不僅可提供完整的寬禁帶器件方案，還可引導(dǎo)工程師通過開發(fā)和導(dǎo)入設(shè)計流程實現(xiàn)預(yù)期功能的、具性價比、高可靠性及長使用壽命的方案?！?/p>

　　安森美半導(dǎo)體現(xiàn)在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC展示SiC器件和方案，并計劃在2019年推出更多的寬禁帶器件。