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安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出

作者: 時間:2019-04-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合和相關(guān)的隔離型大電流門極驅(qū)動器。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201904/400131.htm

AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止,提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,用于多方面的電源應(yīng)用,包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用,如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。

該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝,從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權(quán)衡。該高性能器件額定工作電壓650 V,能夠處理高達(dá)100 A@25 °C (50 A@100 °C)的連續(xù)電流,以及高達(dá)200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統(tǒng),正溫度系數(shù)令并行工作更簡便。

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現(xiàn)代電動汽車的應(yīng)用不僅利用能源行駛,在某些情況下還儲存能量,以便在高峰時期為家庭供電。這需要一個雙向充電器,必須有高的開關(guān)效率,以確保轉(zhuǎn)換時不浪費(fèi)能量。在這種情況下,集成外部SiC二極管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效,因為沒有相關(guān)的正向或反向恢復(fù)損耗。

AFGHL50T65SQDC可在高達(dá)175 °C的結(jié)溫下工作,適用于包括汽車在內(nèi)的最嚴(yán)苛的電源應(yīng)用。它完全符合AEC-Q 101認(rèn)證,進(jìn)一步證明其適用于電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV) 車載充電機(jī)。

除了新的混合IGBT,還將在PCIM推出并展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅(qū)動器。NCD(V)57000系列針對多種電源應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和汽車應(yīng)用如動力總成和PTC加熱器。

NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅(qū)動器,內(nèi)置伽伐尼安全隔離設(shè)計,以在要求高可靠性的電源應(yīng)用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補(bǔ)、漏極開路故障和輸出準(zhǔn)備就緒、有源米勒鉗位、精確欠壓鎖定(UVLO)、軟關(guān)斷去飽和(DESAT)保護(hù)、負(fù)門極電壓引腳和單獨(dú)的高、低驅(qū)動輸出等特點(diǎn),為系統(tǒng)設(shè)計提供靈活性。

該器件的伽伐尼隔離額定值大于5 kVrms,滿足UL 1577的要求,工作電壓高于1200 V,保證8 mm爬電距離(輸入>輸出)以滿足強(qiáng)化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驅(qū)動電流和7.1 A汲電流能力,是某些競爭器件的三倍多。更重要的是,它們還具有在米勒平坦區(qū)工作時更大的電流能力,同時結(jié)合其先進(jìn)的保護(hù)特性,使它們成為同類最佳的IGBT驅(qū)動器。

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