安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出

2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。

AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。

該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權(quán)衡。該高性能器件額定工作電壓650 V，能夠處理高達(dá)100 A@25 °C (50 A@100 °C)的連續(xù)電流，以及高達(dá)200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統(tǒng)，正溫度系數(shù)令并行工作更簡便。

現(xiàn)代電動(dòng)汽車的應(yīng)用不僅利用能源行駛，在某些情況下還儲(chǔ)存能量，以便在高峰時(shí)期為家庭供電。這需要一個(gè)雙向充電器，必須有高的開關(guān)效率，以確保轉(zhuǎn)換時(shí)不浪費(fèi)能量。在這種情況下，集成外部SiC二極管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因?yàn)闆]有相關(guān)的正向或反向恢復(fù)損耗。

AFGHL50T65SQDC可在高達(dá)175 °C的結(jié)溫下工作，適用于包括汽車在內(nèi)的最嚴(yán)苛的電源應(yīng)用。它完全符合AEC-Q 101認(rèn)證，進(jìn)一步證明其適用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV) 車載充電機(jī)。

除了新的混合IGBT，安森美半導(dǎo)體還將在PCIM推出并展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器。NCD(V)57000系列針對多種電源應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和汽車應(yīng)用如動(dòng)力總成和PTC加熱器。

NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置伽伐尼安全隔離設(shè)計(jì)，以在要求高可靠性的電源應(yīng)用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補(bǔ)、漏極開路故障和輸出準(zhǔn)備就緒、有源米勒鉗位、精確欠壓鎖定(UVLO)、軟關(guān)斷去飽和(DESAT)保護(hù)、負(fù)門極電壓引腳和單獨(dú)的高、低驅(qū)動(dòng)輸出等特點(diǎn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供靈活性。

該器件的伽伐尼隔離額定值大于5 kVrms，滿足UL 1577的要求，工作電壓高于1200 V，保證8 mm爬電距離(輸入>輸出)以滿足強(qiáng)化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驅(qū)動(dòng)電流和7.1 A汲電流能力，是某些競爭器件的三倍多。更重要的是，它們還具有在米勒平坦區(qū)工作時(shí)更大的電流能力，同時(shí)結(jié)合其先進(jìn)的保護(hù)特性，使它們成為同類最佳的IGBT驅(qū)動(dòng)器。